单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.
系列
HEXFET®TrenchP™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
85 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A（Tc）24A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
65 毫欧 @ 12A，10V600 毫欧 @ 2.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
23 nC @ 10 V41 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
300 pF @ 25 V2090 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
43W（Tc）83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-252AA (DPAK)TO-263AA
封装/外壳
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IRFR220NTRPBF
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Infineon Technologies
10,340
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.93390
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
5A（Tc）
10V
600 毫欧 @ 2.9A，10V
4V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
300 pF @ 25 V
-
43W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263AB
IXTA24P085T
MOSFET P-CH 85V 24A TO263
Littelfuse Inc.
3,540
现货
1 : ¥22.25000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
85 V
24A（Tc）
10V
65 毫欧 @ 12A，10V
4.5V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±15V
2090 pF @ 25 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。