单 FET，MOSFET

结果 : 13
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
8 V20 V30 V50 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）300mA（Ta）361mA（Ta）900mA（Ta）1.5A（Tc）2.2A（Ta）2.3A（Tc）2.6A（Ta）2.9A（Tj）3.1A（Tc）3.5A（Tc）5.8A（Tc）11.5A（Ta），20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V2.5V，4.5V4V，5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 11.5A，10V35 毫欧 @ 4.4A，4.5V57 毫欧 @ 3.6A，4.5V88 毫欧 @ 3.5A，10V100 毫欧 @ 2.8A，4.5V112 毫欧 @ 2.8A，4.5V156 毫欧 @ 1.9A，10V220 毫欧 @ 900mA，4.5V540 毫欧 @ 900mA，5V700 毫欧 @ 200mA，4.5V2 欧姆 @ 500mA，10V3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
850mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V0.8 nC @ 4.5 V1.5 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 4.5 V6.1 nC @ 5 V6.2 nC @ 4.5 V6.8 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V30 nC @ 8 V91 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±10V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24 pF @ 10 V30 pF @ 25 V50 pF @ 10 V109 pF @ 10 V190 pF @ 30 V250 pF @ 25 V340 pF @ 15 V375 pF @ 6 V405 pF @ 10 V960 pF @ 4 V3970 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
155mW（Ta）300mW（Ta）350mW（Ta）700mW（Ta）710mW（Ta）860mW（Ta），1.6W（Tc）960mW（Ta），1.7W（Tc）1.09W（Ta），1.66W（Tc）1.1W（Ta），1.8W（Tc）2W（Ta），3.1W（Tc）2.3W（Ta），41W（Tc）
供应商器件封装
8-MLP（3.3x3.3）SOT-223SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-883（XDFN3）（1x0.6）
封装/外壳
3-XFDFN8-PowerWDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
195,800
现货
3,123,000
工厂
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.28094
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Vishay Siliconix
437,570
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39032
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
152,368
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.82533
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.1A（Tc）
2.5V，4.5V
112 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW（Ta），1.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-883
NTNS3164NZT5G
MOSFET N-CH 20V 361MA SOT883
onsemi
56,864
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.80598
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
361mA（Ta）
1.5V，4.5V
700 毫欧 @ 200mA，4.5V
1V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±8V
24 pF @ 10 V
-
155mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-883（XDFN3）（1x0.6）
3-XFDFN
SOT-23-3
SI2305CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Vishay Siliconix
56,204
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.97327
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
8 V
5.8A（Tc）
1.8V，4.5V
35 毫欧 @ 4.4A，4.5V
1V @ 250µA
30 nC @ 8 V
±8V
960 pF @ 4 V
-
960mW（Ta），1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDV305N
MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
onsemi
39,562
现货
147,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87719
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
900mA（Ta）
2.5V，4.5V
220 毫欧 @ 900mA，4.5V
1.5V @ 250µA
1.5 nC @ 4.5 V
±12V
109 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2307CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Vishay Siliconix
23,775
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.43343
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.5A（Tc）
4.5V，10V
88 毫欧 @ 3.5A，10V
3V @ 250µA
6.2 nC @ 4.5 V
±20V
340 pF @ 15 V
-
1.1W（Ta），1.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT223-3L
IRLL110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Vishay Siliconix
22,225
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.80394
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.5A（Tc）
4V，5V
540 毫欧 @ 900mA，5V
2V @ 250µA
6.1 nC @ 5 V
±10V
250 pF @ 25 V
-
2W（Ta），3.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
8-MLP, Power33
FDMC6679AZ
MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
onsemi
3,255
现货
1 : ¥11.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.63829
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11.5A（Ta），20A（Tc）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 11.5A，10V
3V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3970 pF @ 15 V
-
2.3W（Ta），41W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
SOT-23(TO-236)
SI2302CDS-T1-BE3
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
17,380
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87982
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.6A（Ta）
2.5V，4.5V
57 毫欧 @ 3.6A，4.5V
850mV @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
710mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2302DDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Vishay Siliconix
31,119
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.05113
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.9A（Tj）
2.5V，4.5V
57 毫欧 @ 3.6A，4.5V
850mV @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
710mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2301BDS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
23,129
现货
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.09891
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.2A（Ta）
2.5V，4.5V
100 毫欧 @ 2.8A，4.5V
950mV @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
375 pF @ 6 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2308BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Vishay Siliconix
25,893
现货
1 : ¥6.73000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.59418
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.3A（Tc）
4.5V，10V
156 毫欧 @ 1.9A，10V
3V @ 250µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
190 pF @ 30 V
-
1.09W（Ta），1.66W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。