单 FET，MOSFET

结果 : 5
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.4A（Ta），32A（Tc）9A（Ta）22A（Ta），96A（Tc）28A（Ta），150A（Tc）50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 毫欧 @ 27A，10V3，8毫欧 @ 18A，10V9.2 毫欧 @ 25A，10V17 毫欧 @ 4.5A，10V27 毫欧 @ 8.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 35µA3V @ 250µA4V @ 135µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.5 nC @ 10 V27 nC @ 5 V28 nC @ 10 V34 nC @ 10 V134 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
880 pF @ 25 V1400 pF @ 10 V2380 pF @ 20 V2630 pF @ 30 V5600 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta）2，36W（Ta），50W（Tc）3.7W（Ta），110W（Tc）46W（Tc）69W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）8-ECH8-PQFN（3.3x3.3）TO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线8-PowerWDFN8-SMD，扁平引线TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252AA
FDD4685
MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
onsemi
14,183
现货
1 : ¥11.74000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.86129
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8.4A（Ta），32A（Tc）
4.5V，10V
27 毫欧 @ 8.4A，10V
3V @ 250µA
27 nC @ 5 V
±20V
2380 pF @ 20 V
-
69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-WDFN
NTTFS008P03P8Z
MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
onsemi
5,886
现货
1 : ¥24.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.95126
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
22A（Ta），96A（Tc）
4.5V，10V
3，8毫欧 @ 18A，10V
3V @ 250µA
134 nC @ 10 V
±25V
5600 pF @ 15 V
-
2，36W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PQFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C673NLAFT1G
MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 5DFN
onsemi
3,210
现货
1 : ¥11.74000
剪切带（CT）
1,500 : ¥5.14596
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
4.5V，10V
9.2 毫欧 @ 25A，10V
2V @ 35µA
9.5 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 25 V
-
46W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C628NWFT1G
MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
onsemi
1,185
现货
1 : ¥23.07000
剪切带（CT）
1,500 : ¥10.95855
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
28A（Ta），150A（Tc）
10V
3 毫欧 @ 27A，10V
4V @ 135µA
34 nC @ 10 V
±20V
2630 pF @ 30 V
-
3.7W（Ta），110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
8-SMD, Flat Lead
ECH8310-TL-H
MOSFET P-CH 30V 9A 8ECH
onsemi
2,500
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.93862
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
9A（Ta）
4V，10V
17 毫欧 @ 4.5A，10V
-
28 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 10 V
-
1.5W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-ECH
8-SMD，扁平引线
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。