单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计最后售卖
漏源电压（Vdss）
20 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）6.9A（Ta）195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.5 毫欧 @ 170A，10V26 毫欧 @ 4.1A，10V1 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250µA4V @ 250µA5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
61 nC @ 10 V300 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
45 pF @ 5 V3180 pF @ 25 V8970 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）2.5W（Ta）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOSC-70-3（SOT323）TO-262
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SC-70，SOT-323TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-70-3
MMBF2201NT1G
MOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3
onsemi
21,573
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.78508
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
1 欧姆 @ 300mA，10V
2.4V @ 250µA
-
±20V
45 pF @ 5 V
-
150mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
IRF7473TRPBF
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO
Infineon Technologies
9,784
现货
1 : ¥12.81000
剪切带（CT）
4,000 : ¥5.28553
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.9A（Ta）
10V
26 毫欧 @ 4.1A，10V
5.5V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
3180 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-262-3
IRFSL3006PBF
MOSFET N-CH 60V 195A TO262
Infineon Technologies
0
现货
1,000 : ¥29.21559
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
195A（Tc）
10V
2.5 毫欧 @ 170A，10V
4V @ 250µA
300 nC @ 10 V
±20V
8970 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-262
TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。