单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V50 V60 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）260mA（Ta）2.6A（Ta）5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
115 毫欧 @ 2.6A，10V600 毫欧 @ 2.9A，10V2.5 欧姆 @ 240mA，10V3.5 欧姆 @ 200mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA1.5V @ 1mA2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.81 nC @ 5 V7.2 nC @ 10 V23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
26.7 pF @ 25 V50 pF @ 25 V300 pF @ 25 V315 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）300mW（Tj）1.4W（Ta）43W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
437,751
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32434
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
260mA（Ta）
4.5V，10V
2.5 欧姆 @ 240mA，10V
2.5V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
AO3403
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
5,703
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.67389
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.6A（Ta）
2.5V，10V
115 毫欧 @ 2.6A，10V
1.4V @ 250µA
7.2 nC @ 10 V
±12V
315 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
TO252-3
IRFR220NTRPBF
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Infineon Technologies
10,340
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.93390
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
5A（Tc）
10V
600 毫欧 @ 2.9A，10V
4V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
300 pF @ 25 V
-
43W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT 23-3
BVSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
59,060
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.53911
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。