单 FET，MOSFET

结果 : 13
制造商
Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedMicro Commercial CoonsemiPanjit International Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®U-MOSIII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
230mA（Ta）330mA（Ta）361mA（Ta）430mA（Ta）460mA（Ta）540mA（Ta）600mA600mA（Ta）630mA（Ta）650mA（Ta）820mA（Ta）900mA（Ta）4.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.5V，4.5V1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
77 毫欧 @ 3.1A，10V130 毫欧 @ 900mA，4.5V360 毫欧 @ 350mA，4.5V400 毫欧 @ 600mA，4.5V550 毫欧 @ 540mA，4.5V700 毫欧 @ 200mA，4.5V700 毫欧 @ 350mA，4.5V750 毫欧 @ 430mA，4.5V850毫欧 @ 500mA，4.5V900 毫欧 @ 430mA，4.5V1.1 欧姆 @ 430mA，4.5V1.31 欧姆 @ 100mA，4.5V3 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.622 nC @ 4.5 V0.74 nC @ 4.5 V0.8 nC @ 4.5 V0.86 nC @ 4.5 V1.2 nC @ 4 V1.2 nC @ 4.5 V5.4 nC @ 4.5 V21 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±8V8V±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14.1 pF @ 15 V24 pF @ 10 V40 pF @ 16 V43 pF @ 10 V59.76 pF @ 16 V60.67 pF @ 16 V100 pF @ 16 V150 pF @ 16 V175 pF @ 16 V416 pF @ 10 V595 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
150mW150mW（Ta）155mW（Ta）270mW（Ta）280mW（Ta）300mW（Ta）310mW（Ta）550mW（Ta）1.25W（Ta），2.5W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-323SOT-523SOT-883（XDFN3）（1x0.6）SSM
封装/外壳
3-XFDFNSC-70，SOT-323SC-75，SOT-416SOT-523TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-523
DMG1013T-7
MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Diodes Incorporated
362,631
现货
7,587,000
工厂
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.41074
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
460mA（Ta）
1.8V，4.5V
700 毫欧 @ 350mA，4.5V
1V @ 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
270mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT-523
DMG1012T-7
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Diodes Incorporated
317,451
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.42141
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
630mA（Ta）
1.8V，4.5V
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
280mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT-323
DMG1013UW-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
247,095
现货
2,184,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46763
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
820mA（Ta）
1.8V，4.5V
750 毫欧 @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-883
NTNS3164NZT5G
MOSFET N-CH 20V 361MA SOT883
onsemi
56,864
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.80598
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
361mA（Ta）
1.5V，4.5V
700 毫欧 @ 200mA，4.5V
1V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±8V
24 pF @ 10 V
-
155mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-883（XDFN3）（1x0.6）
3-XFDFN
SOT-23-3
SI2319CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Vishay Siliconix
41,711
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.52883
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
4.4A（Tc）
4.5V，10V
77 毫欧 @ 3.1A，10V
2.5V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
595 pF @ 20 V
-
1.25W（Ta），2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
461,815
现货
1 : ¥1.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.27694
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
330mA（Ta）
1.5V，4.5V
1.31 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 1mA
1.2 nC @ 4 V
±8V
43 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SSM
SC-75，SOT-416
SOT-23-3
DMP2004K-7
MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
Diodes Incorporated
943,879
现货
525,000
工厂
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32204
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
600mA（Ta）
1.8V，4.5V
900 毫欧 @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
175 pF @ 16 V
-
550mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-523
DMN26D0UT-7
MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
Diodes Incorporated
70,270
现货
2,253,000
工厂
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.44806
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
230mA（Ta）
1.2V，4.5V
3 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
-
±10V
14.1 pF @ 15 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT-523
DMN2004TK-7
MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523
Diodes Incorporated
476,178
现货
384,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71836
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
540mA（Ta）
1.8V，4.5V
550 毫欧 @ 540mA，4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
150 pF @ 16 V
-
150mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT 523
SI3139KEA-TP
P-CHANNEL MOSFET,SOT-523
Micro Commercial Co
4,693
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.29870
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
600mA
1.8V，4.5V
850毫欧 @ 500mA，4.5V
1.1V @ 250µA
0.86 nC @ 4.5 V
±12V
40 pF @ 16 V
-
150mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SBA120CS-AUR1A1XXX
PJE8401_R1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
6,600
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.42162
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
900mA（Ta）
1.8V，4.5V
130 毫欧 @ 900mA，4.5V
1.2V @ 250µA
5.4 nC @ 4.5 V
±12V
416 pF @ 10 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT-523
DMP22D6UT-7
MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523
Diodes Incorporated
37,646
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.91643
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
430mA（Ta）
1.8V，4.5V
1.1 欧姆 @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
175 pF @ 16 V
-
150mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
20,206
现货
1 : ¥6.73000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.21665
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
650mA（Ta）
1.8V，4.5V
360 毫欧 @ 350mA，4.5V
1V @ 250µA
1.2 nC @ 4.5 V
8V
100 pF @ 16 V
-
300mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。