单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchFET® Gen III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
28 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A(Ta)12.6A(Tc)25.7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6 毫欧 @ 15A,10V19 毫欧 @ 9A,10V70 毫欧 @ 3.8A,10V85 毫欧 @ 3.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 250µA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8 nC @ 4.5 V42 nC @ 10 V203 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
305 pF @ 5 V1008 pF @ 25 V1500 pF @ 15 V8190 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
1.08W(Ta)1.4W(Ta)4.8W(Tc)6W(Tc)
供应商器件封装
8-SOICSOT-23-3
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN3150L-7
MOSFET N-CH 28V 3.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
220,549
现货
768,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.75610
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
28 V
3.8A(Ta)
2.5V,10V
85 毫欧 @ 3.6A,4.5V
1.4V @ 250µA
-
±12V
305 pF @ 5 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-SOIC
SI4435FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Vishay Siliconix
34,090
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.03815
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12.6A(Tc)
4.5V,10V
19 毫欧 @ 9A,10V
2.2V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 15 V
-
4.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SOT-23-3
DMP3098LQ-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
211,411
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.79326
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.8A(Ta)
4.5V,10V
70 毫欧 @ 3.8A,10V
2.1V @ 250µA
8 nC @ 4.5 V
±20V
1008 pF @ 25 V
-
1.08W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-SOIC
SI4101DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
Vishay Siliconix
9,120
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.71768
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
25.7A(Tc)
4.5V,10V
6 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
203 nC @ 10 V
±20V
8190 pF @ 15 V
-
6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。