单 FET，MOSFET

结果 : 14
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®TrenchFET® Gen III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）540mA（Ta）600mA（Ta）830mA（Ta）915mA（Ta）1.3A（Ta）4A（Ta）5.7A（Ta）9.9A（Ta），14A（Tc）12A（Tc）18A（Tc）19A（Ta），74A（Tc）30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.8 毫欧 @ 35A，10V9.4 毫欧 @ 15A，10V14.2 毫欧 @ 10A，10V20.5 毫欧 @ 6A，4.5V23.5 毫欧 @ 10A，10V50 毫欧 @ 4A，10V52 毫欧 @ 6A，10V180 毫欧 @ 1.3A，10V230 毫欧 @ 600mA，4.5V300 毫欧 @ 600mA，4.5V500 毫欧 @ 830mA，4.5V550 毫欧 @ 540mA，4.5V5 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 40µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.1 nC @ 4.5 V1.82 nC @ 4.5 V1.9 nC @ 4.5 V3.1 nC @ 4.5 V8.1 nC @ 5 V25 nC @ 10 V29 nC @ 10 V62 nC @ 8 V100 nC @ 10 V110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±8V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
60 pF @ 10 V110 pF @ 16 V135 pF @ 10 V150 pF @ 15 V150 pF @ 16 V470 pF @ 15 V802 pF @ 50 V1258 pF @ 30 V1750 pF @ 10 V4000 pF @ 20 V4280 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）300mW（Tj）500mW（Ta）625mW（Ta）1.6W（Ta）2.5W（Ta），5W（Tc）3.2W（Ta），40W（Tc）3.5W（Ta），19W（Tc）3.7W（Ta），52W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SO8-WDFN（3.3x3.3）PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SC-70-6SC-89-3SOT-23-3SOT-523SuperSOT™-6
封装/外壳
8-PowerWDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SC-70-6SC-89，SOT-490SOT-23-6 细型，TSOT-23-6SOT-523TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-89-3_463C
NTE4153NT1G
MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
onsemi
126,203
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.70353
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
915mA（Ta）
1.5V，4.5V
230 毫欧 @ 600mA，4.5V
1.1V @ 250µA
1.82 nC @ 4.5 V
±6V
110 pF @ 16 V
-
300mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-89-3
SC-89，SOT-490
SOT-23-3
FDN352AP
MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
onsemi
84,540
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.21327
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.3A（Ta）
4.5V，10V
180 毫欧 @ 1.3A，10V
2.5V @ 250µA
1.9 nC @ 4.5 V
±25V
150 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SIS413DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
53,901
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77239
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
18A（Tc）
4.5V，10V
9.4 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
4280 pF @ 15 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPak SC-70-6 Single
SIA429DJT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
26,750
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.65113
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
12A（Tc）
1.5V，4.5V
20.5 毫欧 @ 6A，4.5V
1V @ 250µA
62 nC @ 8 V
±8V
1750 pF @ 10 V
-
3.5W（Ta），19W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
8-SOIC
SI4401FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO
Vishay Siliconix
45,330
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.63259
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
9.9A（Ta），14A（Tc）
4.5V，10V
14.2 毫欧 @ 10A，10V
2.3V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-WDFN
NTTFS5116PLTAG
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
onsemi
14,385
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.48435
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
5.7A（Ta）
4.5V，10V
52 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1258 pF @ 30 V
-
3.2W（Ta），40W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
PowerPAK 1212-8
SIS890DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
31,243
现货
1 : ¥11.08000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.58397
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
30A（Tc）
4.5V，10V
23.5 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
802 pF @ 50 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SOT-523
DMN2004TK-7
MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523
Diodes Incorporated
482,188
现货
384,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71836
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
540mA（Ta）
1.8V，4.5V
550 毫欧 @ 540mA，4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
150 pF @ 16 V
-
150mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
FDY102PZ
FDY102PZ
MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3
onsemi
51,728
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.84602
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
830mA（Ta）
1.5V，4.5V
500 毫欧 @ 830mA，4.5V
1V @ 250µA
3.1 nC @ 4.5 V
±8V
135 pF @ 10 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-89-3
SC-89，SOT-490
SC-89-3_463C
NVE4153NT1G
MOSFET N-CH 20V 915MA SC89
onsemi
16,453
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.35027
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
915mA（Ta）
1.5V，4.5V
230 毫欧 @ 600mA，4.5V
1.1V @ 250µA
1.82 nC @ 4.5 V
±6V
110 pF @ 16 V
-
300mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SC-89-3
SC-89，SOT-490
SG6858TZ
FDC658AP
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
onsemi
15,735
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.65113
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 4A，10V
3V @ 250µA
8.1 nC @ 5 V
±25V
470 pF @ 15 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
8-WDFN
NTTFS5C460NLTAG
MOSFET N CH 40V 19A/74A 8WDFN
onsemi
1,474
现货
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.98771
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
-
-
19A（Ta），74A（Tc）
-
4.8 毫欧 @ 35A，10V
2V @ 40µA
-
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
PowerTrench Series SC-89-3
FDY301NZ
MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
onsemi
0
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.5V，4.5V
5 欧姆 @ 200mA，4.5V
1.5V @ 250µA
1.1 nC @ 4.5 V
±12V
60 pF @ 10 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-89-3
SC-89，SOT-490
PowerTrench Series SC-89-3
FDY302NZ
MOSFET N-CH 20V 600MA SC89-3
onsemi
0
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77862
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
600mA（Ta）
1.8V，4.5V
300 毫欧 @ 600mA，4.5V
1.5V @ 250µA
1.1 nC @ 4.5 V
±12V
60 pF @ 10 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-89-3
SC-89，SOT-490
显示
/ 14

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。