单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
CoolSiC™EF
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A（Tc）35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
74 毫欧 @ 16.7A，18V125 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA5.7V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
28 nC @ 18 V47 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+20V，-2V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
930 pF @ 400 V1533 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
133W（Tc）179W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO247-4-3TO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-247-4TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IMZA65R057M1HXKSA1
IMZA65R057M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Infineon Technologies
150
现货
1 : ¥77.66000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
35A（Tc）
18V
74 毫欧 @ 16.7A，18V
5.7V @ 5mA
28 nC @ 18 V
+20V，-2V
930 pF @ 400 V
-
133W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO247-4-3
TO-247-4
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SIHB125N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Vishay Siliconix
2,720
现货
1 : ¥24.47000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
25A（Tc）
10V
125 毫欧 @ 12A，10V
5V @ 250µA
47 nC @ 10 V
±30V
1533 pF @ 100 V
-
179W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。