单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Micro Commercial CoonsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）1A（Tj）2.4A（Ta）25A（Tc）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.9 毫欧 @ 25A，10V28 毫欧 @ 7A，10V260 毫欧 @ 3A，10V800 毫欧 @ 1A，10V3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA2.3V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.2 nC @ 10 V6 nC @ 10 V48 nC @ 10 V400 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7.1 pF @ 10 V250 pF @ 25 V388 pF @ 40 V2850 pF @ 30 V14300 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）770mW2W（Ta）3W（Ta），18W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSMT（3.2x3）8-WDFN（3.3x3.3）PowerPAK® SO-8SOT-23VMT3
封装/外壳
8-PowerVDFN8-PowerWDFNPowerPAK® SO-8SOT-723TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23
SI01P10-TP
MOSFET P-CH 100V 1A SOT23
Micro Commercial Co
45,981
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.90097
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1A（Tj）
-
800 毫欧 @ 1A，10V
3V @ 250µA
3.2 nC @ 10 V
±20V
388 pF @ 40 V
-
770mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-HSMT
RQ3L070ATTB
PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
Rohm Semiconductor
5,472
现货
1 : ¥11.66000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.82165
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
25A（Tc）
4.5V，10V
28 毫欧 @ 7A，10V
2.5V @ 1mA
48 nC @ 10 V
±20V
2850 pF @ 30 V
-
2W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-HSMT（3.2x3）
8-PowerVDFN
PowerPAK SO-8
SI7141DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
22,702
现货
1 : ¥18.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.27116
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
60A（Tc）
4.5V，10V
1.9 毫欧 @ 25A，10V
2.3V @ 250µA
400 nC @ 10 V
±20V
14300 pF @ 10 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
VMT3 Pkg
RUM001L02T2CL
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
724,975
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.34654
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100mA（Ta）
1.2V，4.5V
3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 100µA
-
±8V
7.1 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
VMT3
SOT-723
8-WDFN
NVTFS5124PLTAG
MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
onsemi
2,835
现货
1 : ¥6.32000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.70513
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.4A（Ta）
4.5V，10V
260 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 25 V
-
3W（Ta），18W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。