单 FET,MOSFET
结果 : 2
制造商
系列
包装
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
供应商器件封装
库存选项
环境选项
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市场产品
2结果
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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2,085 现货 | 1 : ¥146.30000 剪切带(CT) 800 : ¥86.20295 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | SiCFET(共源共栅 SiCJFET) | 750 V | 72A(Tc) | 12V | 23 毫欧 @ 50A,12V | 6V @ 10mA | 37.8 nC @ 15 V | ±20V | 1414 pF @ 400 V | - | 259W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 表面贴装型 | D2PAK-7 | TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA | ||
889 现货 | 1 : ¥83.49000 剪切带(CT) 1,000 : ¥47.37106 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 650 V | 45A(Tc) | 18V | 64 毫欧 @ 20.1A,18V | 5.7V @ 6mA | 33 nC @ 18 V | +23V,-5V | 1118 pF @ 400 V | - | 183W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 表面贴装型 | PG-TO263-7-12 | TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA |
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