单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）25.4A（Ta），100A（Tc）40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 毫欧 @ 50A，10V6.6 毫欧 @ 20A，10V85 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3.1V @ 345µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
21 nC @ 10 V48 nC @ 10 V186 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1785 pF @ 20 V14000 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.9W（Ta）2.5W（Ta），125W（Tc）5W（Ta），34.7W（Tc）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1PowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SIR422DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
51,103
现货
1 : ¥9.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.84826
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A（Tc）
4.5V，10V
6.6 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
1785 pF @ 20 V
-
5W（Ta），34.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PG-TDSON-8-1
BSC030P03NS3GAUMA1
MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Infineon Technologies
20,317
现货
1 : ¥19.62000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.52063
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
25.4A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
3 毫欧 @ 50A，10V
3.1V @ 345µA
186 nC @ 10 V
±25V
14000 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SI7898DP-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
14,842
现货
1 : ¥14.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.50665
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
3A（Ta）
6V，10V
85 毫欧 @ 3.5A，10V
4V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。