单 FET，MOSFET

结果 : 5
系列
TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
450mA（Ta）530mA（Ta）3.6A（Ta）16.2A（Ta），40.5A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.7 毫欧 @ 10A，10V6.7 毫欧 @ 30A，10V65 毫欧 @ 5.7A，10V420 毫欧 @ 500mA，4.5V760 毫欧 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.5 nC @ 4.5 V2.7 nC @ 8 V25 nC @ 10 V25.5 nC @ 10 V270 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
43 pF @ 10 V45 pF @ 10 V985 pF @ 15 V14280 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
190mW（Ta）220mW（Ta）1.5W（Ta）3.2W（Ta），19.8W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8SC-89-3TO-263（D2PAK）
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8SC-89，SOT-490TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-89-3_463C
SI1062X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC89-3
Vishay Siliconix
105,398
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.64179
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
530mA（Ta）
1.5V，4.5V
420 毫欧 @ 500mA，4.5V
1V @ 250µA
2.7 nC @ 8 V
±8V
43 pF @ 10 V
-
220mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-89-3
SC-89，SOT-490
PowerPAK 1212-8
SI7415DN-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
91,430
现货
1 : ¥12.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.69276
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3.6A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 5.7A，10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TO-263 (D2Pak)
SQM120P06-07L_GE3
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
Vishay Siliconix
4,796
现货
1 : ¥28.73000
剪切带（CT）
800 : ¥17.33736
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
120A（Tc）
4.5V，10V
6.7 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
270 nC @ 10 V
±20V
14280 pF @ 25 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SC-89-3_463C
SI1013CX-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Vishay Siliconix
63,756
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.68992
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
450mA（Ta）
4.5V
760 毫欧 @ 400mA，4.5V
1V @ 250µA
2.5 nC @ 4.5 V
±8V
45 pF @ 10 V
-
190mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-89-3
SC-89，SOT-490
PowerPAK 1212-8
SISA88DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK
Vishay Siliconix
36,304
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.40650
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
16.2A（Ta），40.5A（Tc）
4.5V，10V
6.7 毫欧 @ 10A，10V
2.4V @ 250µA
25.5 nC @ 10 V
+20V，-16V
985 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），19.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。