单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™ C7CoolMOS™ P7TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
20 V30 V600 V700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA（Ta）3A（Ta）4.5A（Tc）50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V2.5V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
40 毫欧 @ 24.9A，10V57 毫欧 @ 4A，4.5V1.2 欧姆 @ 900mA，10V2.8 欧姆 @ 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA3.5V @ 40µA4V @ 1.24mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.9 nC @ 10 V4.8 nC @ 10 V5 nC @ 4.5 V107 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
23.2 pF @ 25 V174 pF @ 400 V295 pF @ 10 V4340 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）860mW（Ta）6.3W（Tc）227W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-TSOPPG-SOT223PG-TO247-4SOT-23-3
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-4TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
416,802
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.31827
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
350mA（Ta）
2.5V，10V
2.8 欧姆 @ 250mA，10V
1.5V @ 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
Pkg 5540
SI3442BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
Vishay Siliconix
24,761
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.53934
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
2.5V，4.5V
57 毫欧 @ 4A，4.5V
1.8V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
±12V
295 pF @ 10 V
-
860mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
TO-247-4
IPZ60R040C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4
Infineon Technologies
655
现货
1 : ¥68.63000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
50A（Tc）
10V
40 毫欧 @ 24.9A，10V
4V @ 1.24mA
107 nC @ 10 V
±20V
4340 pF @ 400 V
-
227W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO247-4
TO-247-4
PG-SOT223
IPN70R1K2P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
Infineon Technologies
508
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.79956
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
700 V
4.5A（Tc）
10V
1.2 欧姆 @ 900mA，10V
3.5V @ 40µA
4.8 nC @ 10 V
±16V
174 pF @ 400 V
-
6.3W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4，TO-261AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。