单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiRohm Semiconductor
系列
-QFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.6A（Tc）9.5A（Ta）11.5A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14.6 毫欧 @ 9.5A，10V470 毫欧 @ 5.75A，10V530 毫欧 @ 3.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.3 nC @ 4.5 V15 nC @ 10 V40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
470 pF @ 25 V680 pF @ 15 V1200 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2W（Tc）2.5W（Ta），44W（Tc）3.13W（Ta），120W（Tc）
供应商器件封装
8-SOPTO-252AATO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263
FQB12P20TM
MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
onsemi
610
现货
1 : ¥16.09000
剪切带（CT）
800 : ¥9.00390
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
11.5A（Tc）
10V
470 毫欧 @ 5.75A，10V
5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±30V
1200 pF @ 25 V
-
3.13W（Ta），120W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
8-SOIC
RS3E135BNGZETB
MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
Rohm Semiconductor
5,059
现货
1 : ¥8.46000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.50871
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
9.5A（Ta）
10V
14.6 毫欧 @ 9.5A，10V
2.5V @ 1mA
8.3 nC @ 4.5 V
±20V
680 pF @ 15 V
-
2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-252AA
FQD8P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥10.92000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.52626
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.6A（Tc）
10V
530 毫欧 @ 3.3A，10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±30V
470 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），44W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。