单 FET，MOSFET

结果 : 13
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial CoonsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay SiliconixWolfspeed, Inc.
系列
-C3M™PowerTrench®SIPMOS®TrenchFET®U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
30 V40 V50 V60 V250 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
140mA（Ta）220mA（Tj）400mA（Ta）2.3A（Ta）2.4A（Ta）3.6A（Ta）4.4A（Tc）4.6A（Tc）5A（Ta）21A（Tc）22A（Tc）27A（Ta），141A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.8V，10V4.5V，10V10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.1 毫欧 @ 27A，10V19 毫欧 @ 10A，10V45 毫欧 @ 5A，10V50 毫欧 @ 3.6A，10V75 毫欧 @ 3A，10V77 毫欧 @ 3.1A，10V80 毫欧 @ 4.2A，10V82 毫欧 @ 3A，10V157 毫欧 @ 6.76A，15V1.5 欧姆 @ 100mA，10V3.5 欧姆 @ 220mA，10V11 欧姆 @ 140mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA1.8V @ 250µA2V @ 130µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.6V @ 1.86mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V4.8 nC @ 10 V5.4 nC @ 10 V11.2 nC @ 10 V12.2 nC @ 10 V16 nC @ 10 V17 nC @ 10 V18 nC @ 10 V21 nC @ 10 V28 nC @ 15 V80 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+19V，-8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 10 V60 pF @ 25 V109 pF @ 25 V330 pF @ 20 V470 pF @ 20 V495 pF @ 15 V587 pF @ 20 V595 pF @ 20 V600 pF @ 20 V620 pF @ 20 V640 pF @ 400 V5300 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
320mW（Ta）350mW500mW（Tc）720mW（Ta）750mW（Ta）770mW（Ta）1.2W1.25W（Ta），2.5W（Tc）2.5W（Tc）2.8W（Ta），75W（Tc）3.9W（Ta），15.6W（Tc）98W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-SC59-3Power33PowerPAK® SO-8SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-247-3
封装/外壳
8-PowerWDFNPowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
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/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2319CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Vishay Siliconix
41,686
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.52883
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
4.4A（Tc）
4.5V，10V
77 毫欧 @ 3.1A，10V
2.5V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
595 pF @ 20 V
-
1.25W（Ta），2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2319DS-T1-E3
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Vishay Siliconix
124,124
现货
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.24503
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2.3A（Ta）
4.5V，10V
82 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
470 pF @ 20 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
265,395
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.23206
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
400mA（Ta）
4.5V，10V
1.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23
BSS138-TP
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Micro Commercial Co
25,157
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.28847
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Tj）
4.5V，10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
350mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
7,218
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.53750
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
5A（Ta）
4.5V，10V
45 毫欧 @ 5A，10V
1.8V @ 250µA
5.4 nC @ 10 V
±20V
330 pF @ 20 V
-
1.2W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMG3406L-13
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Diodes Incorporated
118,963
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.50076
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.6A（Ta）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 3.6A，10V
2V @ 250µA
11.2 nC @ 10 V
±20V
495 pF @ 15 V
-
770mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP4065S-7
MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23
Diodes Incorporated
25,236
现货
201,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77194
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2.4A（Ta）
4.5V，10V
80 毫欧 @ 4.2A，10V
3V @ 250µA
12.2 nC @ 10 V
±20V
587 pF @ 20 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSR92PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 250V 140MA SC59
Infineon Technologies
8,816
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.30257
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
140mA（Ta）
2.8V，10V
11 欧姆 @ 140mA，10V
2V @ 130µA
4.8 nC @ 10 V
±20V
109 pF @ 25 V
-
500mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SC59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2319ADS-T1_BE3
MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
10,792
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.05833
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
4.6A（Tc）
4.5V，10V
75 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 20 V
-
2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2319DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Vishay Siliconix
6,193
现货
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.24503
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2.3A（Ta）
10V
82 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
470 pF @ 20 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
C2D10120D
C3M0120065D
650V 120M SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
425
现货
1 : ¥90.72000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
22A（Tc）
15V
157 毫欧 @ 6.76A，15V
3.6V @ 1.86mA
28 nC @ 15 V
+19V，-8V
640 pF @ 400 V
-
98W（Tc）
-40°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
Power33
FDMC8360LET40
MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
onsemi
20,375
现货
1 : ¥16.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.28415
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
27A（Ta），141A（Tc）
4.5V，10V
2.1 毫欧 @ 27A，10V
3V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
5300 pF @ 20 V
-
2.8W（Ta），75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Power33
8-PowerWDFN
PowerPAK SO-8
SIR836DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.48136
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
21A（Tc）
4.5V，10V
19 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 20 V
-
3.9W（Ta），15.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 13

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。