单 FET，MOSFET

结果 : 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
75 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
26A（Tc）27A（Tc）30A（Tc）32A（Tc）46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11 毫欧 @ 10A，10V12.5 毫欧 @ 10A，10V26 毫欧 @ 51A，10V30 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V30 nC @ 10 V34 nC @ 10 V35 nC @ 10 V51 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
800 pF @ 25 V1100 pF @ 25 V1386 pF @ 15 V2100 pF @ 25 V2289 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
45W（Tc）55W（Tc）56W（Tc）83W（Tc）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak® SO-8
SQJ402EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
11,536
现货
1 : ¥12.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.60436
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
32A（Tc）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
51 nC @ 10 V
±20V
2289 pF @ 40 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SQJ474EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
26,272
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.20414
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
26A（Tc）
4.5V，10V
30 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SQJ416EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
13,774
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.20414
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
27A（Tc）
10V
30 毫欧 @ 10A，10V
3.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SQJA84EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 46A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
13,951
现货
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.94434
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
46A（Tc）
4.5V，10V
12.5 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 25 V
-
55W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak® SO-8
SQJ486EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,512
现货
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.94434
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
30A（Tc）
4.5V，10V
26 毫欧 @ 51A，10V
2.1V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
1386 pF @ 15 V
-
56W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。