单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®TrenchFET® Gen III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
31A（Ta），100A（Tc）37A（Ta），100A（Tc）52A（Tc）53.7A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.1 毫欧 @ 30A，10V3.6 毫欧 @ 20A，10V12.5 毫欧 @ 10A，10V18 毫欧 @ 20A，10V18 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
47 nC @ 10 V72 nC @ 10 V108 nC @ 10 V120 nC @ 10 V330 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1286 pF @ 75 V4586 pF @ 30 V4700 pF @ 15 V5500 pF @ 25 V12900 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），96W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）83W（Tc）183W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1PowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TDSON-8-1
BSC011N03LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Infineon Technologies
35,936
现货
1 : ¥8.95000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.35690
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
37A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
1.1 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PowerPAK-SO-8-Single
SQJ459EP-T2_BE3
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
4,172
现货
1 : ¥10.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.18331
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
52A（Tc）
4.5V，10V
18 毫欧 @ 3.5A，10V
2.5V @ 250µA
108 nC @ 10 V
±20V
4586 pF @ 30 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7155DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Vishay Siliconix
26,993
现货
1 : ¥16.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.37016
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
31A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
3.6 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
330 nC @ 10 V
±20V
12900 pF @ 20 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK_SO-8L
SQJ147ELP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
24,494
现货
1 : ¥7.88000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.24952
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
90A（Tc）
-
12.5 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
5500 pF @ 25 V
-
183W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIR872ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥14.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.39637
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
53.7A（Tc）
7.5V，10V
18 毫欧 @ 20A，10V
4.5V @ 250µA
47 nC @ 10 V
±20V
1286 pF @ 75 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。