单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiTexas Instruments
系列
NexFET™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Ta），60A（Tc）100A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.85 毫欧 @ 16A，10V9.4 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.4V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
35 nC @ 10 V62 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2670 pF @ 50 V4065 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2.7W（Ta），156W（Tc）3.2W（Ta），96W（Tc）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）8-VSONP（5x6）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PQFN
FDMS86150
MOSFET N CH 100V 16A POWER56
onsemi
8,386
现货
1 : ¥30.95000
剪切带（CT）
3,000 : ¥15.05648
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
16A（Ta），60A（Tc）
6V，10V
4.85 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±20V
4065 pF @ 50 V
-
2.7W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD19533Q5AT
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Texas Instruments
566
现货
1 : ¥13.22000
剪切带（CT）
250 : ¥8.50732
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100A（Ta）
6V，10V
9.4 毫欧 @ 13A，10V
3.4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2670 pF @ 50 V
-
3.2W（Ta），96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。