单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
GeneSiC SemiconductoronsemiRohm Semiconductor
系列
-G3R™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
40 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A（Ta），43A（Tc）68A（Tc）90A（Tc）127A（Tc）128A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V15V15V，18V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10.6 毫欧 @ 15A，10V20 毫欧 @ 74A，18V24 毫欧 @ 60A，15V30 毫欧 @ 40A， 18V36 毫欧 @ 50A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA2.69V @ 12mA2.69V @ 15mA4.4V @ 20mA4.63V @ 37mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15 nC @ 10 V151 nC @ 18 V155 nC @ 15 V219 nC @ 15 V329 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
±15V±20V+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
930 pF @ 20 V3175 pF @ 800 V3901 pF @ 800 V5873 pF @ 800 V6230 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
3W（Ta），25W（Tc）352W（Tc）400W（Tc）542W（Tc）686W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-HSOPTO-247-4TO-247-4L
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-4 Top
G3R30MT12K
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,479
现货
1 : ¥184.97000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
90A（Tc）
15V
36 毫欧 @ 50A，15V
2.69V @ 12mA
155 nC @ 15 V
±15V
3901 pF @ 800 V
-
400W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R20MT12K
SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,038
现货
1 : ¥296.29000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
128A（Tc）
15V
24 毫欧 @ 60A，15V
2.69V @ 15mA
219 nC @ 15 V
±15V
5873 pF @ 800 V
-
542W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
HSOP8
RS1G150MNTB
MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
Rohm Semiconductor
5,495
现货
1 : ¥7.64000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.16918
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
15A（Ta），43A（Tc）
4.5V，10V
10.6 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 1mA
15 nC @ 10 V
±20V
930 pF @ 20 V
-
3W（Ta），25W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
TO-247-4
NVH4L022N120M3S
SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
onsemi
837
现货
213,300
工厂
1 : ¥227.66000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
68A（Tc）
18V
30 毫欧 @ 40A， 18V
4.4V @ 20mA
151 nC @ 18 V
+22V，-10V
3175 pF @ 800 V
-
352W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-4
NTH4L014N120M3P
SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
onsemi
45
现货
1 : ¥237.59000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
127A（Tc）
15V，18V
20 毫欧 @ 74A，18V
4.63V @ 37mA
329 nC @ 18 V
+22V，-10V
6230 pF @ 800 V
-
686W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。