单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
CoolMOS™ CFD7AU-MOSVIII-HUltra X4
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
100 V200 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
45A（Tc）94A（Tc）160A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.4 毫欧 @ 80A，10V10.6 毫欧 @ 47A，10V50 毫欧 @ 24.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 1mA4.5V @ 1.24mA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
77 nC @ 10 V102 nC @ 10 V122 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4975 pF @ 400 V5050 pF @ 25 V10100 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
227W（Tc）360W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）175°C
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
ISO TO-247-3PG-TO247-3-41TO-220SM（W）
封装/外壳
TO-247-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
Littelfuse_power_Semi_TO-247-3L
IXTH94N20X4
MOSFET N-CH 200V 94A X4 TO-247
Littelfuse Inc.
320
现货
1 : ¥96.63000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
94A（Tc）
10V
10.6 毫欧 @ 47A，10V
4.5V @ 250µA
77 nC @ 10 V
±20V
5050 pF @ 25 V
-
360W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
ISO TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IPW65R050CFD7AXKSA1
MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41
Infineon Technologies
224
现货
1 : ¥55.01000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
45A（Tc）
10V
50 毫欧 @ 24.8A，10V
4.5V @ 1.24mA
102 nC @ 10 V
±20V
4975 pF @ 400 V
-
227W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
956
现货
1 : ¥21.76000
剪切带（CT）
1,000 : ¥11.23192
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
160A（Ta）
6V，10V
2.4 毫欧 @ 80A，10V
3.5V @ 1mA
122 nC @ 10 V
±20V
10100 pF @ 10 V
-
375W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
TO-220SM（W）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。