单 FET,MOSFET

结果 : 14
制造商
Infineon TechnologiesonsemiRohm Semiconductor
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
40 V60 V80 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.1A(Ta),21A(Tc)12A(Ta)44A(Tc)25A(Tc)26A(Ta),133A(Tc)28A(Ta),150A(Tc)35A(Tc)40A(Tc)60A(Tc)100A(Tc)120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.4 毫欧 @ 50A,10V2.7 毫欧 @ 50A,10V3 毫欧 @ 50A,10V3.4 毫欧 @ 90A,10V3.6 毫欧 @ 40A,10V4.9 毫欧 @ 60A,6V5.9 毫欧 @ 90A, 10V7.1 毫欧 @ 40A, 10V10 毫欧 @ 8A,10V10.6 毫欧 @ 60A, 10V15.6 毫欧 @ 40A, 10V27.5 毫欧 @ 7.5A,10V41 毫欧 @ 35A,10V60 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 135µA2V @ 250µA2V @ 40µA2.2V @ 13µA2.3V @ 49µA2.5V @ 1mA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.8 nC @ 10 V13.7 nC @ 10 V16.7 nC @ 10 V18.8 nC @ 10 V24 nC @ 10 V25 nC @ 10 V30 nC @ 4.5 V40.7 nC @ 10 V45 nC @ 10 V52 nC @ 10 V53 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
330 pF @ 25 V880 pF @ 30 V1010 pF @ 75 V1080 pF @ 50 V1320 pF @ 30 V1470 pF @ 75 V1510 pF @ 20 V1560 pF @ 50 V1580 pF @ 20 V2880 pF @ 25 V2880 pF @ 50 V3420 pF @ 40 V3600 pF @ 25 V4400 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
3W(Ta),43W(Tc)3W(Ta),59W(Tc)3W(Ta),73W(Tc)3.4W(Ta),24W(Tc)3.7W(Ta),110W(Tc)4W(Ta),100W(Tc)59W(Tc)83W(Tc)104W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-HSMT(3.2x3)8-HSOPPG-TDSON-8-7
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果

显示
/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5C628NLT1G
MOSFET N-CH 60V 5DFN
onsemi
6,862
现货
10,500
工厂
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
1,500 : ¥6.12008
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
28A(Ta),150A(Tc)
4.5V,10V
2.4 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 135µA
52 nC @ 10 V
±20V
3600 pF @ 25 V
-
3.7W(Ta),110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
8-Power TDFN
BSC027N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Infineon Technologies
775
现货
1 : ¥19.29000
剪切带(CT)
5,000 : ¥8.36036
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Tc)
4.5V,10V
2.7 毫欧 @ 50A,10V
2.3V @ 49µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
4400 pF @ 30 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
8-HSMT
RH6G040BGTB1
NCH 40V 95A, HSMT8, POWER MOSFET
Rohm Semiconductor
5,270
现货
1 : ¥14.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.36328
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
40A(Tc)
4.5V,10V
3.6 毫欧 @ 40A,10V
2.5V @ 1mA
25 nC @ 10 V
±20V
1580 pF @ 20 V
-
59W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSMT(3.2x3)
8-PowerVDFN
8-HSMT
RH6L040BGTB1
NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET
Rohm Semiconductor
21,182
现货
1 : ¥16.26000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.34479
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
40A(Tc)
4.5V,10V
7.1 毫欧 @ 40A, 10V
2.5V @ 1mA
18.8 nC @ 10 V
±20V
1320 pF @ 30 V
-
59W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSMT(3.2x3)
8-PowerVDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C680NLT1G
MOSFET N-CH 60V 8.1A/21A 5DFN
onsemi
1,071
现货
1 : ¥8.46000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.71280
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8.1A(Ta),21A(Tc)
4.5V,10V
27.5 毫欧 @ 7.5A,10V
2.2V @ 13µA
5.8 nC @ 10 V
±20V
330 pF @ 25 V
-
3.4W(Ta),24W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C638NLT1G
MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN
onsemi
1,035
现货
1 : ¥19.05000
剪切带(CT)
1,500 : ¥9.02460
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
26A(Ta),133A(Tc)
4.5V,10V
3 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
40.7 nC @ 10 V
±20V
2880 pF @ 25 V
-
4W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
8-HSMT
RH6P040BHTB1
NCH 100V 40A, HSMT8, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
5,435
现货
1 : ¥14.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.57182
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
40A(Tc)
6V,10V
15.6 毫欧 @ 40A, 10V
4V @ 1mA
16.7 nC @ 10 V
±20V
1080 pF @ 50 V
-
59W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSMT(3.2x3)
8-PowerVDFN
MFG_RS6P060BHTB1
RS6G100BGTB1
NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
2,423
现货
1 : ¥14.78000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.18816
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Tc)
4.5V,10V
3.4 毫欧 @ 90A,10V
2.5V @ 1mA
24 nC @ 10 V
±20V
1510 pF @ 20 V
-
3W(Ta),59W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
8-HSMT
RH6R025BHTB1
NCH 150V 25A, HSMT8, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
2,825
现货
1 : ¥14.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.25998
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
25A(Tc)
6V,10V
60 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
16.7 nC @ 10 V
±20V
1010 pF @ 75 V
-
59W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSMT(3.2x3)
8-PowerVDFN
MFG_RS6P060BHTB1
RS6P060BHTB1
NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
2,230
现货
1 : ¥19.05000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.00456
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
60A(Tc)
6V,10V
10.6 毫欧 @ 60A, 10V
4V @ 1mA
25 nC @ 10 V
±20V
1560 pF @ 50 V
-
3W(Ta),73W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
MFG_RS6P060BHTB1
RS6R035BHTB1
NCH 150V 35A, HSOP8, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
2,454
现货
1 : ¥19.62000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.24061
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
35A(Tc)
6V,10V
41 毫欧 @ 35A,10V
4V @ 1mA
25 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 75 V
-
3W(Ta),73W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
HSOP8
RS6N120BHTB1
NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
1,298
现货
1 : ¥23.23000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.46579
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
120A(Tc)
6V,10V
4.9 毫欧 @ 60A,6V
4V @ 1mA
53 nC @ 10 V
±20V
3420 pF @ 40 V
-
104W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
HSOP8
RS6P100BHTB1
NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF
Rohm Semiconductor
3,490
现货
1 : ¥25.45000
剪切带(CT)
2,500 : ¥12.37592
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
100A(Tc)
6V,10V
5.9 毫欧 @ 90A, 10V
4V @ 1mA
45 nC @ 10 V
±20V
2880 pF @ 50 V
-
104W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5H610NLT1G
MOSFET N-CH 60V 12A 44A 5DFN
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.15755
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
12A(Ta)44A(Tc)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 8A,10V
2V @ 40µA
13.7 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 30 V
-
3W(Ta),43W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
显示
/ 14

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。