单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-HEXFET®OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
25 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A（Ta）23A（Ta），40A（Tc）26A（Ta），80A（Tc）32A（Ta），180A（Tc）33A（Ta），100A（Tc）200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.4 毫欧 @ 30A，10V1.7 毫欧 @ 32A，10V1.8 毫欧 @ 30A，10V1.9 毫欧 @ 10A，10V3.1mOhm @ 26A，10V95 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.35V @ 100µA2.5V @ 1mA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.1 nC @ 4.5 V39 nC @ 10 V74 nC @ 4.5 V175 nC @ 10 V180 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
254 pF @ 25 V2700 pF @ 12 V2800 pF @ 12 V6190 pF @ 15 V7850 pF @ 15 V10210 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
650mW（Ta）2.1W（Ta），69W（Tc）2.5W（Ta），74W（Tc）2.8W（Ta），89W（Tc）3W（Ta）150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSOPDIRECTFET™ MXPG-TDSON-8-7PG-TSDSON-8-FLPowerPAK® 8 x 8SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFNDirectFET™ 等容 MXPowerPAK® 8 x 8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP3125L-7
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23
Diodes Incorporated
517,084
现货
672,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.40606
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.5A（Ta）
4.5V，10V
95 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
3.1 nC @ 4.5 V
±20V
254 pF @ 25 V
-
650mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DirectFET™ Isometric MX_A
IRF6727MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Infineon Technologies
8,749
现货
1 : ¥20.44000
剪切带（CT）
4,800 : ¥8.86132
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
32A（Ta），180A（Tc）
4.5V，10V
1.7 毫欧 @ 32A，10V
2.35V @ 100µA
74 nC @ 4.5 V
±20V
6190 pF @ 15 V
-
2.8W（Ta），89W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
TSDSON-8
BSZ018NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
Infineon Technologies
12,376
现货
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.18709
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
23A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
1.8 毫欧 @ 30A，10V
2V @ 250µA
39 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 12 V
-
2.1W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC014NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Infineon Technologies
9,412
现货
1 : ¥13.46000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.31751
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
33A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
1.4 毫欧 @ 30A，10V
2V @ 250µA
39 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 12 V
-
2.5W（Ta），74W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
HSOP8
RS1E260ATTB1
MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
Rohm Semiconductor
14,713
现货
1 : ¥23.40000
剪切带（CT）
2,500 : ¥11.37045
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
26A（Ta），80A（Tc）
4.5V，10V
3.1mOhm @ 26A，10V
2.5V @ 1mA
175 nC @ 10 V
±20V
7850 pF @ 15 V
-
3W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
PowerPAK 8 x 8
SQJQ466E-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥22.17000
剪切带（CT）
2,000 : ¥10.79388
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200A（Tc）
10V
1.9 毫欧 @ 10A，10V
3.5V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
10210 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。