单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
PowerTrench®PowerTrench®, SyncFET™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A（Ta）4.1A（Ta）24A（Ta），49A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.8 毫欧 @ 24A，10V67 毫欧 @ 4.1A，10V240 毫欧 @ 2.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13 nC @ 10 V18 nC @ 10 V47 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
760 pF @ 75 V3000 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta）2.5W（Ta），50W（Tc）2.5W（Ta），5W（Tc）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）8-SOICPowerPAK® 1212-8
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® 1212-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
FDS86242
FDS86242
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
onsemi
24,294
现货
1 : ¥9.03000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.75208
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
4.1A（Ta）
6V，10V
67 毫欧 @ 4.1A，10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 75 V
-
2.5W（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-PQFN
FDMS0308AS
MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
onsemi
6,764
现货
1 : ¥6.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.83528
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
24A（Ta），49A（Tc）
4.5V，10V
2.8 毫欧 @ 24A，10V
3V @ 1mA
47 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
PowerPAK 1212-8
SI7820DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
11,764
现货
1 : ¥12.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.51412
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
1.7A（Ta）
6V，10V
240 毫欧 @ 2.6A，10V
4V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。