单 FET，MOSFET

结果 : 12
制造商
Infineon TechnologiesTexas Instruments
系列
NexFET™OptiMOS™OptiMOS™ 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A（Ta），82A（Tc）15.6A（Ta），99A（Tc）40A（Tc）82A（Tc）95A（Tc）100A（Tc）120A（Tc）180A（Tc）200A（Ta）261A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.4 毫欧 @ 50A，10V1.7 毫欧 @ 100A，10V2 毫欧 @ 100A，10V3 毫欧 @ 50A，10V3.1 毫欧 @ 100A，10V4 毫欧 @ 20A，10V4 毫欧 @ 50A，10V4.6 毫欧 @ 20A，10V5.2 毫欧 @ 47.5A，10V6.1 毫欧 @ 41A，10V7 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 36µA2.3V @ 47µA3.2V @ 250µA3.3V @ 120µA3.8V @ 270µA3.8V @ 279µA3.8V @ 280µA3.8V @ 41µA3.8V @ 49µA3.8V @ 50µA3.8V @ 95µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.6 nC @ 4.5 V33 nC @ 10 V38 nC @ 10 V40 nC @ 10 V72 nC @ 10 V76 nC @ 10 V104 nC @ 10 V210 nC @ 10 V223 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2500 pF @ 40 V2700 pF @ 50 V2900 pF @ 40 V3100 pF @ 30 V3250 pF @ 40 V5300 pF @ 50 V5600 pF @ 40 V7920 pF @ 40 V8125 pF @ 30 V15600 pF @ 50 V16900 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），100W（Tc）2.5W（Ta），139W（Tc）2.5W（Ta），74W（Tc）2.5W（Ta），83W（Tc）3W（Ta），100W（Tc）3W（Ta），188W（Tc）69W（Tc）300W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-7PG-TO263-3PG-TO263-7PG-TSDSON-8-FLPG-TTFN-9-3PG-WSON-8-2TO-263（DDPAK-3）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerWDFN9-PowerTDFNTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AATO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
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/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TSDSON-8
BSZ040N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Infineon Technologies
73,637
现货
1 : ¥13.22000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.73136
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
40A（Tc）
4.5V，10V
4 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 36µA
6.6 nC @ 4.5 V
±20V
3100 pF @ 30 V
-
69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC030N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Infineon Technologies
18,680
现货
1 : ¥18.39000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.97509
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Tc）
6V，10V
3 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 95µA
76 nC @ 10 V
±20V
5600 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
BSC070N10NS5SCATMA1
BSC070N10NS5SCATMA1
MOSFET N-CH 100V 14A/82A 8SWSON
Infineon Technologies
18,122
现货
1 : ¥21.92000
剪切带（CT）
4,000 : ¥9.86806
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
14A（Ta），82A（Tc）
6V，10V
7 毫欧 @ 40A，10V
3.8V @ 50µA
38 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 50 V
-
3W（Ta），100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-WSON-8-2
8-PowerWDFN
8-Power TDFN
BSC040N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Infineon Technologies
44,584
现货
1 : ¥22.00000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.54166
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100A（Tc）
6V，10V
4 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 95µA
72 nC @ 10 V
±20V
5300 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
TO-263-7, D2Pak
IPB017N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Infineon Technologies
2,261
现货
1 : ¥50.90000
剪切带（CT）
1,000 : ¥26.31407
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
180A（Tc）
6V，10V
1.7 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 279µA
210 nC @ 10 V
±20V
15600 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB017N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Infineon Technologies
2,257
现货
1 : ¥50.90000
剪切带（CT）
1,000 : ¥28.87848
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
120A（Tc）
6V，10V
1.7 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 280µA
223 nC @ 10 V
±20V
16900 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB020N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Infineon Technologies
607
现货
1 : ¥51.48000
剪切带（CT）
1,000 : ¥29.20983
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
6V，10V
2 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 270µA
210 nC @ 10 V
±20V
15600 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
11,486
现货
1 : ¥16.01000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.96149
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
82A（Tc）
6V，10V
6.1 毫欧 @ 41A，10V
3.8V @ 41µA
33 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），74W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
12,410
现货
1 : ¥18.47000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.00055
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
95A（Tc）
6V，10V
5.2 毫欧 @ 47.5A，10V
3.8V @ 49µA
40 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
1,987
现货
1 : ¥21.43000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.30709
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
15.6A（Ta），99A（Tc）
4.5V，10V
4.6 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 47µA
38 nC @ 10 V
±20V
3250 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TTFN-9-3
9-PowerTDFN
DDPAK/TO-263-3
CSD19505KTT
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK
Texas Instruments
1,099
现货
1 : ¥24.63000
剪切带（CT）
500 : ¥14.86664
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
200A（Ta）
6V，10V
3.1 毫欧 @ 100A，10V
3.2V @ 250µA
76 nC @ 10 V
±20V
7920 pF @ 40 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（DDPAK-3）
TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
BSC070N10NS5SCATMA1
BSC014N06NSSCATMA1
MOSFET N-CH 60V 261A WSON-8
Infineon Technologies
5,363
现货
1 : ¥28.41000
剪切带（CT）
4,000 : ¥13.83707
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
261A（Tc）
6V，10V
1.4 毫欧 @ 50A，10V
3.3V @ 120µA
104 nC @ 10 V
±20V
8125 pF @ 30 V
-
3W（Ta），188W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-WSON-8-2
8-PowerWDFN
显示
/ 12

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。