单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
GeneSiC SemiconductorInfineon TechnologiesMicrochip Technology
系列
-CoolMOS™ C7CoolSiC™G2R™G3R™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiC（碳化硅结晶体管）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V700 V1700 V2000 V3300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Tc）7A（Tc）11A（Tc）21A（Tc）26A（Tc）35A46A（Tc）59A（Tc）63A（Tc）123A（Tc）131A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V15V15V，18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16.5 毫欧 @ 60A，18V19 毫欧 @ 40A，20V45 毫欧 @ 24.9A，10V45 毫欧 @ 30A，20V50 毫欧 @ 40A，20V131 毫欧 @ 10A，18V156 毫欧 @ 20A，20V208 毫欧 @ 12A，15V520 毫欧 @ 5A，20V940 毫欧 @ 2.5A，20V1.2 欧姆 @ 2A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 1mA2.7V @ 5mA2.97V @ 1mA3.25V @ 100µA（典型值）3.25V @ 2.5mA（典型值）3.5V @ 10mA（典型值）3.5V @ 2mA4V @ 1.25mA5.5V @ 48mA5.5V @ 6mA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 20 V21 nC @ 20 V37 nC @ 20 V51 nC @ 15 V55 nC @ 18 V93 nC @ 10 V145 nC @ 20 V178 nC @ 20 V215 nC @ 20 V246 nC @ 18 V340 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
±15V+20V，-5V+20V，-7V±20V+23V，-10V+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
184 pF @ 1360 V238 pF @ 1000 V579 pF @ 2400 V1272 pF @ 1000 V3300 pF @ 1000 V3706 pF @ 1000 V4340 pF @ 400 V4500 pF @ 700 V7301 pF @ 1000 V
功率耗散（最大值）
68W（Tc）74W（Tc）131W（Tc）175W（Tc）217W（Tc）227W（Tc）278W（Tc）400W（Tc）536W（Tc）552W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D3PAKPG-TO247-4-U04PG-TO263-3TO-247-3TO-247-4TO-263-7
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CATO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
显示
/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB65R045C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Infineon Technologies
793
现货
1 : ¥93.92000
剪切带（CT）
1,000 : ¥51.43718
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
46A（Tc）
10V
45 毫欧 @ 24.9A，10V
4V @ 1.25mA
93 nC @ 10 V
±20V
4340 pF @ 400 V
-
227W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-247-3
G3R160MT17D
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
606
现货
1 : ¥100.48000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
21A（Tc）
15V
208 毫欧 @ 12A，15V
2.7V @ 5mA
51 nC @ 15 V
±15V
1272 pF @ 1000 V
-
175W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
171
现货
1 : ¥154.01000
管件
管件
在售
N 通道
SiC（碳化硅结晶体管）
2000 V
26A（Tc）
15V，18V
131 毫欧 @ 10A，18V
5.5V @ 6mA
55 nC @ 18 V
+20V，-7V
-
-
217W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO247-4-U04
TO-247-4
TO-247-4
MSC400SMA330B4
MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-24
Microchip Technology
506
现货
1 : ¥263.61000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
3300 V
11A（Tc）
20V
520 毫欧 @ 5A，20V
2.97V @ 1mA
37 nC @ 20 V
+23V，-10V
579 pF @ 2400 V
-
131W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-3
MSC015SMA070B
SICFET N-CH 700V 131A TO247-3
Microchip Technology
262
现货
1 : ¥293.57000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
700 V
131A（Tc）
20V
19 毫欧 @ 40A，20V
2.4V @ 1mA
215 nC @ 20 V
+25V，-10V
4500 pF @ 700 V
-
400W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
171
现货
1 : ¥897.96000
管件
管件
在售
N 通道
SiC（碳化硅结晶体管）
2000 V
123A（Tc）
15V，18V
16.5 毫欧 @ 60A，18V
5.5V @ 48mA
246 nC @ 18 V
+20V，-7V
-
-
552W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO247-4-U04
TO-247-4
G2R50MT33K
G2R50MT33K
3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
GeneSiC Semiconductor
272
现货
1 : ¥2,427.31000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
3300 V
63A（Tc）
20V
50 毫欧 @ 40A，20V
3.5V @ 10mA（典型值）
340 nC @ 20 V
+25V，-10V
7301 pF @ 1000 V
-
536W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4
MSC750SMA170B4
TRANS SJT 1700V TO247-4
Microchip Technology
166
现货
1 : ¥46.06000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
7A（Tc）
20V
940 毫欧 @ 2.5A，20V
3.25V @ 100µA（典型值）
11 nC @ 20 V
+23V，-10V
184 pF @ 1360 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4
TO-247-4
GA20JT12-263
G2R1000MT33J
SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
GeneSiC Semiconductor
3,125
现货
1 : ¥153.44000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
3300 V
4A（Tc）
20V
1.2 欧姆 @ 2A，20V
3.5V @ 2mA
21 nC @ 20 V
+20V，-5V
238 pF @ 1000 V
-
74W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
GA20JT12-263
G2R120MT33J
SIC MOSFET N-CH TO263-7
GeneSiC Semiconductor
429
现货
1 : ¥886.87000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
3300 V
35A
20V
156 毫欧 @ 20A，20V
-
145 nC @ 20 V
+25V，-10V
3706 pF @ 1000 V
-
-
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
D3PAK
MSC035SMA170S
MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-268
Microchip Technology
25
现货
1 : ¥340.69000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
59A（Tc）
20V
45 毫欧 @ 30A，20V
3.25V @ 2.5mA（典型值）
178 nC @ 20 V
+23V，-10V
3300 pF @ 1000 V
-
278W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D3PAK
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
显示
/ 11

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。