单 FET，MOSFET

结果 : 3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.9A（Tc）8A（Tc）12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
22 毫欧 @ 6A，5V36 毫欧 @ 4.6A，10V58 毫欧 @ 3.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V30 nC @ 10 V32 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1100 pF @ 30 V1250 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），5W（Tc）2.8W（Tc）6.8W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICSC-70-6
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-3638-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-70-6
SI1416EDH-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
Vishay Siliconix
45,327
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.99922
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.9A（Tc）
2.5V，10V
58 毫欧 @ 3.1A，10V
1.4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±12V
-
-
2.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
8-SOIC
SQ4850EY-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Vishay Siliconix
21,869
现货
1 : ¥10.84000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.48209
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Tc）
4.5V，10V
22 毫欧 @ 6A，5V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1250 pF @ 25 V
-
6.8W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
SI4436DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Vishay Siliconix
737
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.05598
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
8A（Tc）
4.5V，10V
36 毫欧 @ 4.6A，10V
2.5V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。