单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
HEXFET®PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
900mA（Ta）10.2A（Ta）11A（Ta）14.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 毫欧 @ 14.9A，10V13 毫欧 @ 11A，10V13.5 毫欧 @ 11A，10V14 毫欧 @ 10.2A，10V220 毫欧 @ 900mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.5 nC @ 4.5 V26 nC @ 10 V62 nC @ 10 V73 nC @ 10 V110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
109 pF @ 10 V897 pF @ 15 V2470 pF @ 15 V3845 pF @ 15 V4030 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）2.5W（Ta）
供应商器件封装
8-SO8-SOICSOT-23-3
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDV305N
MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
onsemi
37,672
现货
108,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87719
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
900mA（Ta）
2.5V，4.5V
220 毫欧 @ 900mA，4.5V
1.5V @ 250µA
1.5 nC @ 4.5 V
±12V
109 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
FDS6675BZ
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
onsemi
22,590
现货
100,000
工厂
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.82046
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta）
4.5V，10V
13 毫欧 @ 11A，10V
3V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±25V
2470 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
FDS8842NZ
MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
onsemi
5,030
现货
1 : ¥9.03000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.73622
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
14.9A（Ta）
4.5V，10V
7 毫欧 @ 14.9A，10V
3V @ 250µA
73 nC @ 10 V
±20V
3845 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
FDS8878
MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
onsemi
6,142
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.82846
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10.2A（Ta）
4.5V，10V
14 毫欧 @ 10.2A，10V
2.5V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
897 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF7424TRPBF
MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
Infineon Technologies
24,625
现货
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.48506
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta）
4.5V，10V
13.5 毫欧 @ 11A，10V
2.5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
4030 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。