单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V60 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）22A（Ta），52A（Tc）25A（Tc）360A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.4 毫欧 @ 100A，10V4.7毫欧 @ 8A，10V52 毫欧 @ 5A，10V300 毫欧 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 250µA2V @ 1mA3.8V @ 275µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 10 V33 nC @ 10 V40 nC @ 10 V216 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+12V，-8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
150 pF @ 10 V1250 pF @ 10 V1725 pF @ 25 V16011 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）3W（Ta），136W（Tc）3.5W（Ta），19W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C
供应商器件封装
PG-HSOF-8-1PowerPAK® SC-70-6TO-252AAUF6
封装/外壳
6-SMD，扁平引线8-PowerSFNPowerPAK® SC-70-6TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252
SUD25N15-52-E3
MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Vishay Siliconix
6,184
现货
1 : ¥19.87000
剪切带（CT）
2,000 : ¥8.95271
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
25A（Tc）
6V，10V
52 毫欧 @ 5A，10V
4V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1725 pF @ 25 V
-
3W（Ta），136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
2,624
现货
1 : ¥48.77000
剪切带（CT）
2,000 : ¥23.72166
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
360A（Tj）
6V，10V
1.4 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 275µA
216 nC @ 10 V
±20V
16011 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
2,977
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.82098
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Ta）
4V，10V
300 毫欧 @ 1A，10V
2V @ 1mA
6 nC @ 10 V
±20V
150 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C
表面贴装型
UF6
6-SMD，扁平引线
PowerPak SC-70-6 Single
SIAA02DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
Vishay Siliconix
7,210
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.59610
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
22A（Ta），52A（Tc）
2.5V，10V
4.7毫欧 @ 8A，10V
1.6V @ 250µA
33 nC @ 10 V
+12V，-8V
1250 pF @ 10 V
-
3.5W（Ta），19W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。