单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicrochip Technologyonsemi
系列
-SIPMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
480mA（Tj）1.9A（Ta）2.1A（Ta）2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
250 毫欧 @ 1A，10V300 毫欧 @ 1.9A，10V300 毫欧 @ 2.5A，10V3.5 欧姆 @ 750mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 1mA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.7 nC @ 10 V14 nC @ 10 V15 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
125 pF @ 25 V410 pF @ 25 V551 pF @ 30 V601 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta）1.8W（Ta）1.8W（Ta），14W（Tc）3W（Ta）
供应商器件封装
PG-SOT223-4SOT-223-3SOT-223-4TO-243AA（SOT-89）
封装/外壳
TO-243AATO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223-3L
NDT2955
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
onsemi
3,849
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.06661
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.5A（Ta）
4.5V，10V
300 毫欧 @ 2.5A，10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
601 pF @ 30 V
-
3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
C04-029 MB
TP2510N8-G
MOSFET P-CH 100V 480MA TO243AA
Microchip Technology
16,649
现货
1 : ¥12.64000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.44128
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
480mA（Tj）
10V
3.5 欧姆 @ 750mA，10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
125 pF @ 25 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-243AA（SOT-89）
TO-243AA
SOT-223-3
DMP6250SE-13
MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223
Diodes Incorporated
5,887
现货
40,000
工厂
1 : ¥5.66000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.14854
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.1A（Ta）
4.5V，10V
250 毫欧 @ 1A，10V
3V @ 250µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
551 pF @ 30 V
-
1.8W（Ta），14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-4
BSP170PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Infineon Technologies
13,033
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.17219
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.9A（Ta）
10V
300 毫欧 @ 1.9A，10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
410 pF @ 25 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4，TO-261AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。