单 FET,MOSFET

结果 : 12
制造商
EPCInfineon TechnologiesIXYSToshiba Semiconductor and Storage
系列
eGaN®GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™OptiMOS™OptiMOS™ 5U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
不适用于新设计在售
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V100 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Ta)16A(Ta)21A(Ta),190A(Tc)48A(Ta)48A(Tc)60A(Ta)80A(Ta)80A(Tc)101A(Ta)102A(Ta)334A(Tc)360A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V6V,10V8V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.4 毫欧 @ 100A,10V1.8毫欧 @ 50A,5V2.2 毫欧 @ 30A,5V2.6 毫欧 @ 60A,10V3.1 毫欧 @ 32A,5V3.2 毫欧 @ 25A,5V3.8 毫欧 @ 25A,5V3.9 毫欧 @ 50A,10V6 毫欧 @ 15A,5V7 毫欧 @ 16A,5V9.3 毫欧 @ 40A,103.9 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250µA2.5V @ 11mA2.5V @ 14mA2.5V @ 5mA2.5V @ 7mA2.5V @ 8mA3.8V @ 275µA4.6V @ 107µA4.6V @ 257µA5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.35 nC @ 4.5 V6.5 nC @ 5 V13.8 nC @ 5 V16.3 nC @ 5 V17.8 nC @ 5 V21 nC @ 5 V23 nC @ 5 V24 nC @ 5 V33 nC @ 10 V98 nC @ 10 V216 nC @ 10 V670 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+6V,-4V6V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
17 pF @ 10 V685 pF @ 50 V2103 pF @ 75 V2366 pF @ 50 V2400 pF @ 75 V2703 pF @ 50 V2900 pF @ 75 V3195 pF @ 100 V3200 pF @ 50 V4700 pF @ 10 V7700 pF @ 75 V16011 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
320mW(Ta)3.8W(Ta),319W(Tc)139W(Tc)375W(Tc)680W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
7-QFN(3x5)24-SMPDPG-HSOF-8PG-HSOF-8-1PG-TDSON-8-7SOT-23-3模具
封装/外壳
7-PowerWQFN8-PowerSFN8-PowerTDFN24-PowerSMD,21 引线TO-236-3,SC-59,SOT-23-3模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果

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/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
34,221
现货
1 : ¥30.79000
剪切带(CT)
2,500 : ¥14.97518
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET(氮化镓)
100 V
16A(Ta)
5V
7 毫欧 @ 16A,5V
2.5V @ 5mA
6.5 nC @ 5 V
+6V,-4V
685 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
模具
模具
EPC2065
EPC2088
TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
EPC
2,574
现货
1 : ¥34.07000
剪切带(CT)
1,000 : ¥17.60790
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
-
100 V
60A(Ta)
5V
3.2 毫欧 @ 25A,5V
2.5V @ 7mA
17.8 nC @ 5 V
+6V,-4V
2703 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
模具
模具
224
现货
1 : ¥48.77000
剪切带(CT)
2,000 : ¥23.72166
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
360A(Tj)
6V,10V
1.4 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 275µA
216 nC @ 10 V
±20V
16011 pF @ 50 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
EPC2306ENGRT
EPC2306ENGRT
TRANS GAN 100V .0038OHM3X5MM QFN
EPC
5,417
现货
1 : ¥52.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥20.52451
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
100 V
48A(Ta)
5V
3.8 毫欧 @ 25A,5V
2.5V @ 7mA
16.3 nC @ 5 V
+6V,-4V
2366 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
7-QFN(3x5)
7-PowerWQFN
EPC2308ENGRT
EPC2308ENGRT
TRANS GAN 150V .006OHM 3X5PQFN
EPC
50,362
现货
1 : ¥53.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥21.33788
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
150 V
48A(Tc)
5V
6 毫欧 @ 15A,5V
2.5V @ 5mA
13.8 nC @ 5 V
+6V,-4V
2103 pF @ 75 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
7-QFN(3x5)
7-PowerWQFN
EPC2302
EPC2302
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
EPC
62,013
现货
1 : ¥54.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥30.13009
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
100 V
101A(Ta)
5V
1.8毫欧 @ 50A,5V
2.5V @ 14mA
23 nC @ 5 V
+6V,-4V
3200 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
7-QFN(3x5)
7-PowerWQFN
EPC2304ENGRT
EPC2304ENGRT
TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
EPC
20,661
现货
1 : ¥69.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥36.71239
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
200 V
102A(Ta)
5V
3.1 毫欧 @ 32A,5V
2.5V @ 8mA
24 nC @ 5 V
+6V,-4V
3195 pF @ 100 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
7-QFN(3x5)
7-PowerWQFN
481,249
现货
1 : ¥1.15000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.21578
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
200mA(Ta)
4.5V,10V
3.9 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
821
现货
1 : ¥55.58000
剪切带(CT)
2,000 : ¥29.53042
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
21A(Ta),190A(Tc)
8V,10V
3.9 毫欧 @ 50A,10V
4.6V @ 257µA
98 nC @ 10 V
±20V
7700 pF @ 75 V
-
3.8W(Ta),319W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-HSOF-8
8-PowerSFN
MMIX1F420N10T
MMIX1F420N10T
MOSFET N-CH 100V 334A 24SMPD
IXYS
1
现货
440
工厂
1 : ¥396.21000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
334A(Tc)
10V
2.6 毫欧 @ 60A,10V
5V @ 8mA
670 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 10 V
-
680W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
24-SMPD
24-PowerSMD,21 引线
BSCXXXX
BSC0402NSATMA1
MOSFET N-CH 150V 80A TDSON-8
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥23.07000
剪切带(CT)
5,000 : ¥10.76818
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
80A(Tc)
8V,10V
9.3 毫欧 @ 40A,10
4.6V @ 107µA
33 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 75 V
-
139W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFN
EPC2305
TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFN
EPC
0
现货
查看交期
1 : ¥56.24000
剪切带(CT)
3,000 : ¥29.89439
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
80A(Ta)
5V
2.2 毫欧 @ 30A,5V
2.5V @ 11mA
21 nC @ 5 V
6V
2900 pF @ 75 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
7-QFN(3x5)
7-PowerWQFN
显示
/ 12

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。