单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V75 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
510mA（Ta）2.3A（Tc）2.8A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.6 毫欧 @ 50A，10V156 毫欧 @ 1.9A，10V295 毫欧 @ 4A，10V990 毫欧 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA3V @ 250µA3.8V @ 110µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.5 nC @ 4.5 V6.8 nC @ 10 V42 nC @ 10 V63.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27.6 pF @ 16 V190 pF @ 30 V1190 pF @ 50 V4400 pF @ 37.5 V
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）1.09W（Ta），1.66W（Tc）2.5W（Ta），156W（Tc）3.1W（Ta），5.9W（Tc）
供应商器件封装
8-SOICPG-TDSON-8-7SOT-23-3（TO-236）X2-DFN0806-3
封装/外壳
3-XFDFN8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SBR 3-DFN
DMN2990UFA-7B
MOSFET N-CH 20V 510MA 3DFN
Diodes Incorporated
33,778
现货
4,770,000
工厂
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.95582
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
510mA（Ta）
1.2V，4.5V
990 毫欧 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±8V
27.6 pF @ 16 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN0806-3
3-XFDFN
SOT-23-3
SI2308BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Vishay Siliconix
36,663
现货
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.46767
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.3A（Tc）
4.5V，10V
156 毫欧 @ 1.9A，10V
3V @ 250µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
190 pF @ 30 V
-
1.09W（Ta），1.66W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC036NE7NS3GATMA1
MOSFET N-CH 75V 100A TDSON
Infineon Technologies
8,790
现货
1 : ¥26.35000
剪切带（CT）
5,000 : ¥12.31471
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
100A（Tc）
10V
3.6 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 110µA
63.4 nC @ 10 V
±20V
4400 pF @ 37.5 V
-
2.5W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
8-SOIC
SI4455DY-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
Vishay Siliconix
5,673
现货
1 : ¥16.42000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.38892
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
2.8A（Tc）
10V
295 毫欧 @ 4A，10V
4V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1190 pF @ 50 V
-
3.1W（Ta），5.9W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。