单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
EPCTexas Instruments
系列
eGaN®FemtoFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
12 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.6A（Ta）60A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.2 毫欧 @ 25A，5V76 毫欧 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.3V @ 250µA2.5V @ 7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.2 nC @ 4.5 V17.8 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
156 pF @ 6 V2703 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
3-PICOSTAR模具
封装/外壳
3-XFDFN模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EPC2065
EPC2088
TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
EPC
3,228
现货
1 : ¥34.07000
剪切带（CT）
1,000 : ¥17.60790
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
-
100 V
60A（Ta）
5V
3.2 毫欧 @ 25A，5V
2.5V @ 7mA
17.8 nC @ 5 V
+6V，-4V
2703 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
CSDxxxxxF3x
CSD13380F3
MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
Texas Instruments
31,127
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.64179
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
3.6A（Ta）
1.8V，4.5V
76 毫欧 @ 400mA，4.5V
1.3V @ 250µA
1.2 nC @ 4.5 V
8V
156 pF @ 6 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。