单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
20 V75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A（Ta）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.5 毫欧 @ 25A，4.5V7 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
70 nC @ 4.5 V72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta）6.25W（Ta），104W（Tc）
供应商器件封装
8-SOICPowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SI7174DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
3,212
现货
1 : ¥25.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥12.19408
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
60A（Tc）
10V
7 毫欧 @ 10A，10V
4.5V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±20V
2770 pF @ 40 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-SOIC
SI4864DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 17A 8SO
Vishay Siliconix
2,208
现货
1 : ¥33.41000
剪切带（CT）
2,500 : ¥16.25876
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
17A（Ta）
2.5V，4.5V
3.5 毫欧 @ 25A，4.5V
2V @ 250µA
70 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。