单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）3.8A（Ta）5.9A（Tc）19A（Tc）29A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 毫欧 @ 15A，10V9 毫欧 @ 12.4A，10V45 毫欧 @ 4.2A，10V65 毫欧 @ 3.8A，10V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.2 nC @ 4.5 V21 nC @ 10 V50 nC @ 10 V195 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
45 pF @ 25 V563 pF @ 25 V590 pF @ 15 V2000 pF @ 20 V6000 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）1.08W（Ta）1.25W（Ta），2.5W（Tc）2.5W（Ta），6W（Tc）3.5W（Ta），7.8W（Tc）
供应商器件封装
8-SOICSOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
445,319
现货
13,821,000
工厂
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32715
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
289,587
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49038
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2343CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3
Vishay Siliconix
17,637
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.65107
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.9A（Tc）
4.5V，10V
45 毫欧 @ 4.2A，10V
2.5V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
590 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta），2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
SI4459ADY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 29A 8SO
Vishay Siliconix
83,770
现货
1 : ¥12.64000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.69257
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
29A（Tc）
4.5V，10V
5 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
195 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 15 V
-
3.5W（Ta），7.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
SI4840BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Vishay Siliconix
6,493
现货
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.43266
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
19A（Tc）
4.5V，10V
9 毫欧 @ 12.4A，10V
3V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。