单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.onsemi
系列
AlphaSGT™QFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.7A（Tc）214A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.3 毫欧 @ 20A，10V1.4 欧姆 @ 1.85A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.7V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13 nC @ 10 V115 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
430 pF @ 25 V6460 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），45W（Tc）500W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-252AATOLLA
封装/外壳
8-PowerSFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
1,829
现货
1 : ¥53.94000
剪切带（CT）
2,000 : ¥28.68814
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
214A（Tc）
10V
4.3 毫欧 @ 20A，10V
3.7V @ 250µA
115 nC @ 10 V
±20V
6460 pF @ 75 V
-
500W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TOLLA
8-PowerSFN
TO-252AA
FQD5P20TM
MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
onsemi
4,985
现货
1 : ¥7.64000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.88900
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
3.7A（Tc）
10V
1.4 欧姆 @ 1.85A，10V
5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±30V
430 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），45W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。