单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
OptiMOS™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
23A（Tc）35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
38 毫欧 @ 35A，10V49 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA4V @ 1.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18 nC @ 5 V63 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2130 pF @ 25 V2500 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
75W（Tc）125W（Tc）
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8PG-TO252-3
封装/外壳
SC-100，SOT-669TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD380P06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
Infineon Technologies
17,812
现货
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.68220
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
35A（Tc）
10V
38 毫欧 @ 35A，10V
4V @ 1.7mA
63 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 30 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y53-100B,115
MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
21,479
现货
1 : ¥7.64000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.33953
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
23A（Tc）
4.5V，10V
49 毫欧 @ 10A，10V
2V @ 1mA
18 nC @ 5 V
±15V
2130 pF @ 25 V
-
75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。