单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
CoolMOS™SuperFET® II
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
23A（Tc）24.3A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
160 毫欧 @ 15.4A，10V165 毫欧 @ 11.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 250µA3.9V @ 1.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
75 nC @ 10 V135 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2434 pF @ 380 V3000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
227W（Tc）240W（Tc）
供应商器件封装
PG-TO220-3TO-247-3
封装/外壳
TO-220-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 AD EP
FCH165N60E
MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3
onsemi
473
现货
1,350
工厂
1 : ¥35.63000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
23A（Tc）
10V
165 毫欧 @ 11.5A，10V
3.5V @ 250µA
75 nC @ 10 V
±20V
2434 pF @ 380 V
-
227W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-220-3
SPP24N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 24.3A TO220-3
Infineon Technologies
128
现货
1 : ¥52.87000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
24.3A（Tc）
10V
160 毫欧 @ 15.4A，10V
3.9V @ 1.2mA
135 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 25 V
-
240W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。