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市场产品
单 FET，MOSFET
结果 : 4
制造商
系列
产品状态
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率耗散（最大值）
工作温度
供应商器件封装
封装/外壳
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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Sort By: 精选
比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压（Vdss） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | Vgs（最大值） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | FET 功能 | 功率耗散（最大值） | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 288 现货 | 1 : ¥29.72000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 600 V | 18A（Tc） | 10V | 125 毫欧 @ 7.8A，10V | 4.5V @ 390µA | 36 nC @ 10 V | ±20V | 1503 pF @ 400 V | - | 92W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 通孔 | PG-TO220-3 | TO-220-3 | ||
 | 465 现货 | 1 : ¥32.76000 管件 | 管件 | 不适用于新设计 | N 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 650 V | 16A（Tc） | 10V | 199 毫欧 @ 9.9A，10V | 3.5V @ 1.1mA | 43 nC @ 10 V | ±20V | 1520 pF @ 100 V | - | 34W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 通孔 | PG-TO220-3-31 | TO-220-3 整包 | ||
| 490 现货 | 1 : ¥40.47000 管件 | 管件 | 不适用于新设计 | N 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 600 V | 21A（Tc） | 10V | 165 毫欧 @ 12A，10V | 3.5V @ 790µA | 52 nC @ 10 V | ±20V | 2000 pF @ 100 V | - | 192W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 通孔 | PG-TO220-3 | TO-220-3 | ||
 | 0 现货 查看交期 | 1 : ¥23.81000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 60 V | 18A（Ta），80A（Tc） | 6V，10V | 5 毫欧 @ 80A，10V | 4V @ 250µA | 80 nC @ 10 V | ±20V | 3900 pF @ 25 V | - | 245W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 通孔 | TO-220-3 | TO-220-3 |
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