单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Micro Commercial CoMicrochip TechnologyPanjit International Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13mA（Tj）170mA（Ta）3A（Tj）3.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
69 毫欧 @ 2A，10V105 毫欧 @ 3A，10V6 欧姆 @ 170mA，10V1000 欧姆 @ 500µA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.3V @ 250µA2.5V @ 100µA2.5V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.8 nC @ 10 V3.2 nC @ 4.5 V6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
10 pF @ 25 V45 pF @ 25 V247 pF @ 30 V430 pF @ 15 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）500mW（Ta）1.2W1.2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C
供应商器件封装
SOT-23SOT-23-3SOT-23F
封装/外壳
SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
LND150K1-G
MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Microchip Technology
37,114
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.03752
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
13mA（Tj）
0V
1000 欧姆 @ 500µA，0V
-
-
±20V
10 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
83,506
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.43973
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3.5A（Ta）
4.5V，10V
69 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1.2W（Ta）
175°C
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT 23
SI2310B-TP
MOSFET N-CH 60V 3A SOT23
Micro Commercial Co
102,895
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.53748
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Tj）
4.5V，10V
105 毫欧 @ 3A，10V
1.3V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±16V
247 pF @ 30 V
-
1.2W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
29,705
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32206
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
4.5V，10V
6 欧姆 @ 170mA，10V
2.5V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
45 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。