单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-OptiMOS™ 6U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）1.5A（Ta）7.7A（Ta）， 31A（Tc）8A（Ta）80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.3 毫欧 @ 25A，10V23 毫欧 @ 10A，10V25 毫欧 @ 8A，10V240 毫欧 @ 1.3A，10V3.9 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA2.15V @ 1mA2.5V @ 250µA3.3V @ 13µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 4.5 V6 nC @ 10 V9.3 nC @ 10 V13 nC @ 10 V55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
17 pF @ 10 V450 pF @ 20 V460 pF @ 20 V690 pF @ 50 V3766 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）480mW（Ta），6.25W（Tc）3W（Ta）， 48W（Tc）15W（Tc）101W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
DFN2020MD-6LFPAK33PG-TSDSON-8 FLSSMTO-236AB
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘8-PowerTDFNSC-75，SOT-416SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
13,330
现货
1 : ¥9.61000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.77390
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7.7A（Ta）， 31A（Tc）
8V，10V
23 毫欧 @ 10A，10V
3.3V @ 13µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
690 pF @ 50 V
-
3W（Ta）， 48W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8 FL
8-PowerTDFN
211,296
现货
1 : ¥1.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26375
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
170mA（Ta）
4.5V，10V
3.9 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SSM
SC-75，SOT-416
TO-236AB
PMV250EPEAR
MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
Nexperia USA Inc.
26,264
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.68032
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
1.5A（Ta）
4.5V，10V
240 毫欧 @ 1.3A，10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 20 V
-
480mW（Ta），6.25W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
LFPAK33
BUK9M3R3-40HX
MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
3,971
现货
1 : ¥12.23000
剪切带（CT）
1,500 : ¥5.78950
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
80A（Tc）
4.5V，10V
3.3 毫欧 @ 25A，10V
2.15V @ 1mA
55 nC @ 10 V
±16V
3766 pF @ 25 V
-
101W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
6-DFN2020MD_View 2
BUK7D25-40EX
MOSFET N-CH 40V 8A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
2,344
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.93181
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8A（Ta）
10V
25 毫欧 @ 8A，10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
460 pF @ 20 V
-
15W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。