单 FET,MOSFET

结果 : 5
系列
HEXFET®OptiMOS®-P2OptiMOS™SIPMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
40 V55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
230mA(Ta)4.5A(Ta)30A(Tc)42A(Tc)120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.8 毫欧 @ 100A,10V20 毫欧 @ 42A,10V23 毫欧 @ 22A,10V60 毫欧 @ 4.5A,10V3.5 欧姆 @ 230mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 26µA2V @ 50µA2.3V @ 15µA4V @ 250µA4V @ 340µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.4 nC @ 10 V5.6 nC @ 5 V42 nC @ 10 V180 nC @ 10 V205 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
41 pF @ 25 V657 pF @ 25 V1091 pF @ 25 V3500 pF @ 25 V14790 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
360mW(Ta)2W(Ta)100W(Tc)136W(Tc)170W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
D2PAKPG-SOT23PG-TO252-3-11PG-TO263-3-2PG-TSOP6-6
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Infineon Technologies
104,873
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54533
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
230mA(Ta)
4.5V,10V
3.5 欧姆 @ 230mA,10V
1.4V @ 26µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
41 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SC-74, SOT-457
BSL606SNH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6
Infineon Technologies
33,790
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.82716
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.5A(Ta)
4.5V,10V
60 毫欧 @ 4.5A,10V
2.3V @ 15µA
5.6 nC @ 5 V
±20V
657 pF @ 25 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSOP6-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF4905STRLPBF
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Infineon Technologies
7,145
现货
1 : ¥22.25000
剪切带(CT)
800 : ¥12.42796
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
42A(Tc)
10V
20 毫欧 @ 42A,10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 25 V
-
170W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB120P04P404ATMA2
MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Infineon Technologies
13,437
现货
1 : ¥30.70000
剪切带(CT)
1,000 : ¥15.88056
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
-
3.8 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 340µA
205 nC @ 10 V
±20V
14790 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO252-3
IPD30N06S2L23ATMA3
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Infineon Technologies
13,428
现货
1 : ¥7.63000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.08413
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
30A(Tc)
4.5V,10V
23 毫欧 @ 22A,10V
2V @ 50µA
42 nC @ 10 V
±20V
1091 pF @ 25 V
-
100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。