单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.8A（Ta），16.5A（Tc）40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.5 毫欧 @ 40A，10V56 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7 nC @ 10 V40 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
400 pF @ 50 V2695 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），31W（Tc）33.3W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）TO-220F-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PQFN
FDMS8622
MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN
onsemi
10,570
现货
30,000
工厂
1 : ¥10.67000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.40725
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
4.8A（Ta），16.5A（Tc）
6V，10V
56 毫欧 @ 4.8A，10V
4V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±20V
400 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），31W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
TO-220F
FDPF085N10A
MOSFET N-CH 100V 40A TO220F
onsemi
736
现货
1 : ¥16.50000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
10V
8.5 毫欧 @ 40A，10V
4V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
2695 pF @ 50 V
-
33.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。