单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesRenesas Electronics Corporation
系列
-HEXFET®, StrongIRFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
40 V1500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.8 毫欧 @ 100A，10V12 欧姆 @ 1A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 150µA-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
984.7 pF @ 30 V7330 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
50W（Tc）230W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-263ABTO-3PFM
封装/外壳
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-3PFM，SC-93-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS7437TRLPBF
MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
Infineon Technologies
6,603
现货
1 : ¥15.19000
剪切带（CT）
800 : ¥8.50454
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
195A（Tc）
6V，10V
1.8 毫欧 @ 100A，10V
3.9V @ 150µA
225 nC @ 10 V
±20V
7330 pF @ 25 V
-
230W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263AB
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
MOSFET N-CH 1500V 2A TO3PFM
2SK2225-E
MOSFET N-CH 1500V 2A TO3PFM
Renesas Electronics Corporation
0
现货
查看交期
1 : ¥74.71000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1500 V
2A（Ta）
15V
12 欧姆 @ 1A，15V
-
-
±20V
984.7 pF @ 30 V
-
50W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-3PFM
TO-3PFM，SC-93-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。