单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
EPCWolfspeed, Inc.
系列
-C3M™eGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
技术
GaNFET（氮化镓）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
60 V80 V100 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）16A（Ta）30A（Tc）60A（Ta）64A（Ta）90A（Ta）101A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.8毫欧 @ 50A，5V2.2 毫欧 @ 29A，5V2.2 毫欧 @ 30A，5V2.2 毫欧 @ 31A，5V3.2 毫欧 @ 25A，5V3.6 毫欧 @ 25A，5V7 毫欧 @ 16A，5V90 毫欧 @ 20A，15V3.3 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 13mA2.5V @ 14mA2.5V @ 16mA2.5V @ 20µA2.5V @ 5mA2.5V @ 7mA4V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.044 nC @ 5 V6.5 nC @ 5 V12.2 nC @ 5 V16 nC @ 5 V16.3 nC @ 5 V19 nC @ 5 V23 nC @ 5 V26 nC @ 5 V54 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V+19V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8.4 pF @ 50 V685 pF @ 50 V1350 pF @ 1000 V1449 pF @ 40 V1780 pF @ 30 V1940 pF @ 40 V2703 pF @ 50 V3200 pF @ 50 V3931 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
113.6W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
7-QFN（3x5）TO-247-3模具
封装/外壳
7-PowerWQFNTO-247-3模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
显示
/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
EPC
170,006
现货
1 : ¥11.25000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.64058
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
500mA（Ta）
5V
3.3 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 20µA
0.044 nC @ 5 V
+6V，-4V
8.4 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
34,326
现货
1 : ¥30.79000
剪切带（CT）
2,500 : ¥14.97518
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
16A（Ta）
5V
7 毫欧 @ 16A，5V
2.5V @ 5mA
6.5 nC @ 5 V
+6V，-4V
685 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
EPC
14,491
现货
1 : ¥49.34000
剪切带（CT）
1,000 : ¥27.98517
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
60A（Ta）
5V
3.2 毫欧 @ 25A，5V
2.5V @ 7mA
16.3 nC @ 5 V
+6V，-4V
2703 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
EPC2206
EPC2206
GANFET N-CH 80V 90A DIE
EPC
21,482
现货
1 : ¥53.20000
剪切带（CT）
500 : ¥32.10624
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
80 V
90A（Ta）
5V
2.2 毫欧 @ 29A，5V
2.5V @ 13mA
19 nC @ 5 V
+6V，-4V
1940 pF @ 40 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
EPC2302
EPC2302
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
EPC
65,502
现货
1 : ¥54.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥30.13009
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
101A（Ta）
5V
1.8毫欧 @ 50A，5V
2.5V @ 14mA
23 nC @ 5 V
+6V，-4V
3200 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
EPC2071
EPC2071
TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
EPC
17,624
现货
1 : ¥54.51000
剪切带（CT）
1,000 : ¥28.17260
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
64A（Ta）
5V
2.2 毫欧 @ 30A，5V
2.5V @ 13mA
26 nC @ 5 V
+6V，-4V
3931 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2020
GANFET N-CH 60V 90A DIE
EPC
2,789
现货
1 : ¥67.48000
剪切带（CT）
500 : ¥42.53746
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
60 V
90A（Ta）
5V
2.2 毫欧 @ 31A，5V
2.5V @ 16mA
16 nC @ 5 V
+6V，-4V
1780 pF @ 30 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
C2D10120D
C3M0075120D
SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
835
现货
1 : ¥161.57000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
30A（Tc）
15V
90 毫欧 @ 20A，15V
4V @ 5mA
54 nC @ 15 V
+19V，-8V
1350 pF @ 1000 V
-
113.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
EPC2065
EPC2065
GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
EPC
4,084
现货
1 : ¥26.35000
剪切带（CT）
1,000 : ¥13.63189
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
80 V
60A（Ta）
5V
3.6 毫欧 @ 25A，5V
2.5V @ 7mA
12.2 nC @ 5 V
+6V，-4V
1449 pF @ 40 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
显示
/ 9

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。