单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Rohm SemiconductorVishay Siliconix
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Tc）25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
63 毫欧 @ 25A，10V500 毫欧 @ 6.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
44 nC @ 10 V60 nC @ 5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1200 pF @ 25 V8000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
50W（Tc）125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
LPTSTO-220AB
封装/外壳
TO-220-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB
IRF9640PBF
MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Vishay Siliconix
26,127
现货
1 : ¥11.33000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
11A（Tc）
10V
500 毫欧 @ 6.6A，10V
4V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
LPTS
RSJ250P10FRATL
MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Rohm Semiconductor
2,349
现货
1 : ¥14.86000
剪切带（CT）
1,000 : ¥7.04648
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
25A（Tc）
4V，10V
63 毫欧 @ 25A，10V
2.5V @ 1mA
60 nC @ 5 V
±20V
8000 pF @ 25 V
-
50W（Tc）
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LPTS
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。