单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedPanjit International Inc.Rohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
45 V50 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
360mA（Ta）1A（Ta）2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V2.5V，4.5V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180 毫欧 @ 2A，4.5V700 毫欧 @ 1.5A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA1.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1 nC @ 4.5 V2.9 nC @ 10 V4.1 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V138 pF @ 50 V200 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
236mW（Ta）700mW（Ta）1.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-323SOT-89-3TSMT3
封装/外壳
SC-70，SOT-323SC-96TO-243AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
AP7387Q-30Y-13
ZXMN10A07ZTA
MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Diodes Incorporated
13,042
现货
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
1,000 : ¥1.81207
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1A（Ta）
6V，10V
700 毫欧 @ 1.5A，10V
4V @ 250µA
2.9 nC @ 10 V
±20V
138 pF @ 50 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-89-3
TO-243AA
TSMT3
RTR020N05HZGTL
MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Rohm Semiconductor
5,764
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.79789
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
45 V
2A（Ta）
2.5V，4.5V
180 毫欧 @ 2A，4.5V
1.5V @ 1mA
4.1 nC @ 4.5 V
±12V
200 pF @ 10 V
-
700mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TSMT3
SC-96
3,035
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48408
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
360mA（Ta）
2.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
1.5V @ 250µA
1 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
236mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。