单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Infineon TechnologiesonsemiRohm Semiconductor
系列
-OptiMOS™-5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）4，9A（Ta），14A（Tc）8A（Ta），30A（Tc）10A（Ta），41A（Tc）14.8A（Ta），64A（Tc）20A（Tc）40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.6 毫欧 @ 10A，10V13.4 毫欧 @ 10A，10V15.6 毫欧 @ 40A， 10V21.1 毫欧 @ 5A，10V30 毫欧 @ 10A，10V50 毫欧 @ 5A，10V1.5 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA2V @ 15µA2V @ 45µA2V @ 70µA2V @ 8µA4V @ 1mA4V @ 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.15 nC @ 5 V6 nC @ 10 V8.7 nC @ 10 V10.5 nC @ 10 V16.7 nC @ 10 V17 nC @ 10 V26 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
21 pF @ 5 V258 pF @ 40 V510 pF @ 40 V599 pF @ 40 V902 pF @ 40 V1080 pF @ 50 V1450 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
690mW（Ta）2.9W（Ta），23W（Tc）3.1W（Ta），46W（Tc）3.2W（Ta），54W（Tc）3.9W（Ta），73W（Tc）30W（Tc）59W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSMT（3.2x3）8-WDFN（3.3x3.3）PG-TSDSON-8-32SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
NTR4003NT1G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
onsemi
270,283
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51309
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
500mA（Ta）
2.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.4V @ 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
IAUZ20N08S5L300ATMA1
MOSFET N-CH 80V 20A 8TSDSON-32
Infineon Technologies
5,081
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.98258
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
20A（Tc）
4.5V，10V
30 毫欧 @ 10A，10V
2V @ 8µA
10.5 nC @ 10 V
±20V
599 pF @ 40 V
-
30W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8-32
8-PowerTDFN
8-WDFN
NTTFS6H850NLTAG
MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN
onsemi
8,937
现货
21,000
工厂
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.49621
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
14.8A（Ta），64A（Tc）
4.5V，10V
8.6 毫欧 @ 10A，10V
2V @ 70µA
26 nC @ 10 V
±20V
1450 pF @ 40 V
-
3.9W（Ta），73W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
8-HSMT
RH6P040BHTB1
NCH 100V 40A, HSMT8, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
5,435
现货
1 : ¥14.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.57166
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
6V，10V
15.6 毫欧 @ 40A， 10V
4V @ 1mA
16.7 nC @ 10 V
±20V
1080 pF @ 50 V
-
59W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-HSMT（3.2x3）
8-PowerVDFN
8-WDFN
NVTFS6H888NLTAG
MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
onsemi
1,437
现货
1 : ¥8.70000
剪切带（CT）
1,500 : ¥1.77736
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
4，9A（Ta），14A（Tc）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 5A，10V
2V @ 15µA
6 nC @ 10 V
±20V
258 pF @ 40 V
-
2.9W（Ta），23W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
8-WDFN
NTTFS6H860NTAG
TRENCH 8 80V NFET
onsemi
2,498
现货
4,500
工厂
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.26593
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
8A（Ta），30A（Tc）
6V，10V
21.1 毫欧 @ 5A，10V
4V @ 30µA
8.7 nC @ 10 V
±20V
510 pF @ 40 V
-
3.1W（Ta），46W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
8-WDFN
NTTFS6H854NLTAG
MOSFET N-CH 80V 10A/41A 8WDFN
onsemi
4,260
现货
19,500
工厂
1 : ¥6.49000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.76475
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
10A（Ta），41A（Tc）
4.5V，10V
13.4 毫欧 @ 10A，10V
2V @ 45µA
17 nC @ 10 V
±20V
902 pF @ 40 V
-
3.2W（Ta），54W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。