单 FET,MOSFET

结果 : 3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A(Ta),74A(Tc)40.2A(Ta),263A(Tc)41A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.4 毫欧 @ 23A,10V4.8 毫欧 @ 35A,10V9 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 40µA2.2V @ 20µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
11 nC @ 10 V12 nC @ 10 V217 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
660 pF @ 25 V1300 pF @ 25 V14950 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
3.1W(Ta),50W(Tc)3.3W(Ta),138.9W(Tc)30W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-WDFN(3.3x3.3)
封装/外壳
8-PowerTDFN,5 引线8-PowerWDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS002P03P8ZT1G
MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO
onsemi
5,793
现货
1 : ¥25.37000
剪切带(CT)
1,500 : ¥13.09459
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
40.2A(Ta),263A(Tc)
4.5V,10V
1.4 毫欧 @ 23A,10V
3V @ 250µA
217 nC @ 4.5 V
±25V
14950 pF @ 15 V
-
3.3W(Ta),138.9W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
8-WDFN
NVTFS5C471NLTAG
MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
onsemi
1,500
现货
1 : ¥7.64000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.37133
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
41A(Tc)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 10A,10V
2.2V @ 20µA
12 nC @ 10 V
±20V
660 pF @ 25 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-WDFN
NVTFS5C460NLTAG
MOSFET N-CH 40V 19A/74A 8WDFN
onsemi
1,315
现货
1 : ¥10.59000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.65299
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
19A(Ta),74A(Tc)
4.5V,10V
4.8 毫欧 @ 35A,10V
2V @ 40µA
11 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
显示
/ 3

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。