单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.8A（Ta）40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.5 毫欧 @ 20A，10V28 毫欧 @ 5.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.2 nC @ 10 V32 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
386 pF @ 15 V1330 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
720mW（Ta）3.7W（Ta），52W（Tc）
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8SOT-23-3
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN3404L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
8,289
现货
5,205,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.58071
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.8A（Ta）
3V，10V
28 毫欧 @ 5.8A，10V
2V @ 250µA
9.2 nC @ 10 V
±20V
386 pF @ 15 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SIS488DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥7.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.16918
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A（Tc）
4.5V，10V
5.5 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
1330 pF @ 20 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。